KLA-Tencor 電子束技術部集團副總裁暨總工程師 Zain Saidin 表示：「對於擷取和發現最小缺陷，以及那些只能透過電子特徵檢測到的缺陷，電子束偵測至關重要。隨著晶圓廠已開始研究 4Xnm 和 3Xnm 節點，我們的客戶反應現有的電子束偵測系統無法持續擷取某些缺陷類型，例如 DRAM 中的高縱橫比電容底部的微小殘留物、先進快閃式記憶體中的細微位元線橋接，或邏輯產品中的表面下短路或管線連接。KLA-Tencor 身為為電子束偵測技術的領先企業，能夠利用我們豐厚的經驗和資源，不僅改善電子束系統本身，也運用奠基於我們頂尖光學偵測系統的專用影像計算技術，來解決此問題。因此，我們開發出了靈敏度和吞吐能力皆無與倫比的下一代電子束工具，讓晶圓廠能夠以高靈敏度在線內操作此工具。eS35 旨在讓我們的客戶能夠儘可能快速、高效率地生產他們的新一代的產品。」

eS35 擁有更高的電子束電流密度、更小的像素和更快的資料速率，可提升最小缺陷擷取率，比起領先業界的前一代技術 eS32，且其吞吐能力提升了二至四倍。這些改善來自更低的雜訊基底和先進的演算法，可在整個晶圓的每個晶片區接獲得最大靈敏度。由於具備更高的靈敏度、業界最廣泛的電子束條件和預掃描條件選擇，讓 eS35 能夠在最高的缺陷類型和材料範圍內擷取缺陷。

eS35 擷取有代表性的缺陷群之後，新的強化單機檢查功能可以提供關鍵缺陷的高解析度影像。以規則分類為基礎的應用程式，採用 KLA-Tencor 光學偵測系統的演算法，能對缺陷進行高精度和高純度的分類。分類結果會被編制成為缺陷帕雷托排列圖，缺陷或良率工程師可依此圖來矯正缺陷偏移根源，同時盡量降低對製造中產品的影響。

eS3x 系列的電子束偵測系統廣泛被先進晶圓廠採用，並獲得極大成功。KLA-Tencor 由此基礎上開發出的 eS35 系統，將提供給亞洲、美國和歐洲的記憶體及邏輯晶圓廠。該系統目前用於 6Xnm 和 5Xnm 的產品生產，改善 4Xnm 並開發 3Xnm，擷取前端層和後端層上的各類缺陷。

eS35 技術摘要

業界領先的缺陷擷取率
靈敏度
eS35 電子束偵測 (EBI) 系統推出了多項技術改善，提升了限制良率的電子缺陷和細小物理缺陷的擷取率。電子束密度較前代系統提升了 2.5 倍，其更小的束斑尺寸和硬體進化可全面降低雜訊基底，提供更高的密度，解決最小的物理缺陷和最細微的電壓對照 (VC) 問題。演算法可從 KLA-Tencor 的明區檢測儀獲得，可降低雜訊，並為晶片的各個部分帶來更高靈敏度，進而獲得更高的關鍵缺陷百分比。缺陷圖便可顯示出對於電子測試圖的更強相關性。

更廣的擷取缺陷類型
eS35 結合了業界最廣泛的電子束條件 (電子束電流、Wehnelt 電壓、沉澱能量) 與更寬廣的預掃描條件選擇，能夠處理的材料和層範圍廣度位居業界之冠。

系統性缺陷檢測
eS35 採用了 KLA-Tencor 的 µLoopTM 專利技術，以避免系統性缺陷可能對良率產生的重大影響。無論是否提供測試晶圓，Loop 代理都能更快地檢測出系統性缺陷，這對於邏輯和快閃記憶體產品尤有助益。

更快產生可操作的缺陷帕雷托排列圖
吞吐能力
eS35 偵測系統的資料速率提升到 800 mpps，並具備更高的電子束電流支援像素遷移，吞吐能力是前一代系統的二至四倍。更快的速度可以支援更高靈敏度的操作，或更具有統計意義的可靠抽樣，以實現更嚴格的製造控制。

缺陷檢查和分類
eS35 改善的單機檢查影像品質和新的缺陷分類演算法，讓工程師能夠快速地找到並解決缺陷問題。更好的檢查影像品質支援更快速的配方設置，奠定更準確缺陷分類的基礎。基於規則的分類與最近鄰近演算法相結合，將提升分類純度和精度；另外，基於即時環境的分類自動將 VC 缺陷歸入具體的微結構。

# # # #

關於 KLA-Tencor：KLA-Tencor KLA-Tencor 是專為半導體和相關微電子產業提供製程控制及良率管理解決方案的全球領先供應商。該公司總部設在美國加州的聖荷西市，銷售及服務網遍佈全球。KLA-Tencor 躋身於標準普爾 500 強公司之一，並在納斯達克全球精選市場上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關該公司的更多資訊，請參觀網站 http://www.kla-tencor.com。

- 新聞稿有效日期，至2008/08/10為止

上一篇：高通任命John Stefanac副總裁暨東南亞與太平洋區總裁
下一篇：Google Code Jam 程式設計挑戰賽開跑