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產業動態 富士通微電子推出業界首款耐熱125°C低功耗記憶體SiP
世紀奧美公關顧問公司 本新聞稿發佈於2009/05/25,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

台北—香港商富士通微電子有限公司台灣分公司宣布推出兩款新消費性FCRAM記憶體晶片(*1),為業界首顆可承受125°C高溫運作範圍的記憶體,並可支援DDR SDRAM介面。此系列低功耗消費性記憶體,可針對系統級封裝(System-in-package,SiP)進行最佳化,以支援包括數位電視與數位錄影機等數位消費性產品。

 
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台北—香港商富士通微電子有限公司台灣分公司宣布推出兩款新消費性FCRAM記憶體晶片(*1),為業界首顆可承受125°C高溫運作範圍的記憶體,並可支援DDR SDRAM介面。此兩款新FCRAM產品將從今天開始提供樣本,包括512Mbit規格的MB81EDS516545晶片產品、以及256Mbit規格的MB81EDS256545晶片產品。此系列低功耗消費性記憶體,可針對系統級封裝(System-in-package,SiP)進行最佳化,以支援包括數位電視與數位錄影機等數位消費性產品。

客戶將藉由採用此新款結合SiP組態系統單晶片(SoC)的FCRAM晶片,而增加許多競爭優勢,即使因為運作速度提高,SiP的溫度隨之升高,但整個元件仍可維持順利運作,而不會受到記憶體的影響或限制。此外,還可提供客戶如減少產品開發投入資源、縮小機板空間、以及減少元件數量等方面的優勢。

現今的數位消費性產品不斷要求更高效能、更快速度、以及更低成本。為滿足這些方面的需求,越來越多業者開始運用結合SoC記憶體晶片的SiP產品。採用SiP能減少必要的元件數量,並減少機板空間,進而協助降低系統成本。SiP亦可簡化設計,像是開發高速記憶體介面,或是降低雜訊的措施。

直到目前為止,傳統記憶體在使用SiP時所面臨的許多限制,在採用新型FCRAM產品後都能一一解決。圖1(a)顯示一個SiP組態,其中高效能SoC的功耗佔了很大的比例,而運作後產生的熱量將使SiP溫度高達攝氏105度。此款SoC的最高耐熱溫度為攝氏125度,因此能完全正常運作,但採用傳統記憶體卻僅能耐熱至攝氏95度,所以無法使用這種SiP組態。

想採用SiP封裝規格來運用此類傳統記憶體,另一種選擇就是加裝像散熱片等散熱裝置。如圖1(b)所示,此種設計能把SiP溫度降到90°C,讓系統能順利運作,但卻會增加成本與體積。因此,許多一直在評估是否要採用SiP規格的客戶,都希望記憶體能支援更大的運作溫度範圍。

富士通微電子為因應這些需求,已著手開發這些最高運作溫度達125°C的512 Mbit與256Mbit消費性FCRAM產品。如圖1(c)所示,採用可耐熱125°C的FCRAM,即使SoC消耗極高的電力,SiP仍能正常運作,且不必加裝散熱片。如此即可解決因採用耐熱95°C的傳統記憶體時,需要增加散熱措施而導致成本提高的問題。

此外,即使在125°C的運作溫度下,這些FCRAM產品的資料傳輸率還可達到傳統DDR SDRAM記憶體的兩倍,並且還能壓低功耗。事實上,新款512 Mbit FCRAM的功耗僅需傳統DDR2 SDRAM記憶體的50%。因此,這些新款FCRAM能讓數位消費性產品內建的記憶體,減少50%的二氧化碳排放量(詳細資料請參考附件二)。

富士通微電子將繼續開發能以SiP規格供應所需效能與功能的各種產品,並能為客戶在數位消費性產品設計方面,提供具備最佳化價值與成本的各種解決方案。

價格與上市時程
富士通預計於2009年5月19日開始提供型號為MB81EDS516545的512Mbit FCRAM晶片樣品,及型號為MB81EDS256545的256Mbit FCRAM晶片樣品。預計可達到每月100萬顆的銷售目標。

主要特性
1. 業界首款可耐熱125°C的記憶體
這些新款FCRAM最高運作溫度可達125°C,相較於傳統SDRAM記憶體的最高耐熱溫度為85°C 或95°C,已大幅提高系統內所需的功耗強度。所以業者即可開發出像是高功耗SoC這種以往不可能實現的SiP解決方案,有許多高效能數位消費性電子產品即需要此類元件,以往若再加上記憶體就可能會有過熱的問題。此外,它也允許業者使用不需要高耐熱規格的低成本封裝。

2. 低功耗效能
藉由把匯流排寬度擴大到64位元,加上降低運作頻率,且不需要終端電阻(*2),能讓這些新款FCRAM比兩顆傳統16位元匯流排寬度的DDR2 SDRAM記憶體晶片,最高可減少50%耗電量。新款FCRAM能讓各種數位消費性產品內建記憶體減少50%的二氧化碳排放量。

3. 高資料頻寬
在125°C的運作溫度下,加上64位元匯流排寬度與最高達200MHz的運作頻率,讓這些新款FCRAM能提供每秒3.2 Gbytes的資料傳輸率,是傳統DDR2 SDRAM記憶體的2倍。而在105°C以下的運作溫度,加上216 MHz的運作頻率,資料傳輸率將可提高到每秒3.46Gbyte。


注釋
*1. 消費性FCRAM: FCRAM(快速循環隨機存取記憶體)是富士通微電子的專利RAM核心架構,具備高速與低功耗的特性。消費級FCRAM核心擁有業界標準的低功耗SDRAM介面,並可針對數位消費性產品的使用模式進行最佳化。

*2. 終端電阻:電阻連結至電路線或訊號的終端。它們可用來避免訊號反射所產生的干擾,但也會消耗可觀的電力。在DDR2 SDRAM方面,終端電阻已嵌入在晶片中(可稱為ODT:晶片上終端電阻)

價格與上市時程
富士通預計於2009年5月19日開始提供型號為MB81EDS516545的512Mbit FCRAM晶片樣品,及型號為MB81EDS256545的256Mbit FCRAM晶片樣品。預計可達到每月100萬顆的銷售目標。

相關網站:
富士通微電子FCRAM產品介紹網頁: http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/

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有關詳細公司資訊請瀏覽http://cn.fujitsu.com/fmc/tw網站。

富士通微電子(上海)有限公司
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jessica.chiu@erapr.com

- 新聞稿有效日期,至2009/06/18為止


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聯絡電話:02-25772100
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