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產業動態 IR推出採用PQFN封裝20V、25V及30V MOSFET
世紀奧美公關顧問 本新聞稿發佈於2010/03/11,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET,當中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

 
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這些新功率MOSFET具備IR最先進的矽技術,亦是該公司首批採用5x6mm PQFN封裝,並配備經優化的銅鉗和焊接晶片的元件。IRFH6200TRPbF 20V元件提供領先業界的(RDS(on)),在4.5V Vgs下最高也只為1.2mΩ,有助手動工具等DC馬達驅動驅動應用顯著減低傳導損耗。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:「IR憑著在基準MOSFET技術方面的豐富經驗和不斷的努力,繼續在業界發揮光芒,透過把我們新一代矽技術與PQFN封裝技術結合,推出性能超卓的新MOSFET系列,帶來領先業界的(RDS(on))。此外,我們將按產品發展路徑,在未來數月推出廣闊的PQFN基準MOSFET產品陣營,來回應客戶的訴求。」

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF這兩款元件都是為DC開關應用,例如要求高電流承載能力和高效率的有源ORing及DC馬達驅動應用而設計。IRFH5250TRPbF具備極低的RDS(on),最高只有1.15mΩ,且閘電荷 (Qg) 僅為52nC。至於IRFH5300TRPbF的RDS(on)則最高只有1.4mΩ,而Qg就有50nC。

如果設計採用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF元件,不單能夠擁有卓越的溫度性能,還可以在指定的功率損耗下,比現有的解決方案使用較少的零件,有助節省電路板空間及成本。

所有這些新元件都具備低溫度電阻 (0.5°C/W),兼且達到第一級濕度感應度 (MSL1) 業界標準。它們也不合鉛、溴化物和鹵素,符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

IRFH6200TRPbF產品規格
元件編號 封裝 電壓 最大Vgs Rdson max @ Vgs=4.5 Rdson max @ Vgs=2.5 Id @ Tc=25
IRFH6200TRPbF PQFN 5x6mm 20 V ±12V 1.2 mOhm 1.4 mOhm 100 A

IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF產品規格
元件編號 封裝 電壓 Rdson max @ Vgs=10 Rdson max @ Vgs=4.5 Qg typ @ Vgs=4.5 Id @ Tc=25
IRFH5250TRPbF PQFN 5x6mm 25 V 1.15 mOhm 1.7 mOhm 52 nC 100 A
IRFH5300TRPbF PQFN 5x6mm 30 V 1.4 mOhm 2.1 mOhm 50 nC 100 A
IRFH5301TRPbF PQFN 5x6mm 30 V 1.85 mOhm 2.9 mOhm 37 nC 100 A
IRFH5302TRPbF PQFN 5x6mm 30 V 2.1 mOhm 3.5 mOhm 29 nC 100 A

有關產品現正接受批量訂單。這些新元件的數據資料和應用說明已刊登於IR的網站www.irf.com。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件,可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

新聞聯絡人:
美商國際整流器公司
環球市務及企業傳訊副總裁 Graham Robertson
Tel: +1-310-726-8512
Fax: +1-310-726-8303
E-Mail: grobert1@irf.com


香港商世紀奧美公關顧問股份有限公司
台灣分公司 王雅麟
Tel: (02) 2577-2100 Ext. 810
Fax: (02) 2577-1600
E-Mail: lindayl.wang@eraogilvy.com


- 新聞稿有效日期,至2010/04/11為止


聯絡人 :Linda Wang
聯絡電話:25772100
電子郵件:lindayl.wang@eraogilvy.com

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