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產業動態 IR新型25V DirectFET晶片組為高頻率DC-DC開關應用
世紀奧美公關顧問 本新聞稿發佈於2010/04/14,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET晶片組,為12V輸入同步降壓應用,包括伺服器、桌上型和筆記簿型電腦,提供一 流的效率。

 
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IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF 25V晶片組不但採用了IR最新一代的MOSFET矽技術,還結合了業界領先的性能指數 (FOM) 及DirectFET封裝超卓的開關和溫度特性,成為一個為高頻率DC-DC開關應用而優化的解決方案。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:「IR不斷通過改善關鍵性的參數來加強功率MOSFET的性能。新款的IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET晶片組把低電荷及低RDS(on) 與業界最低的閘電阻結合,使傳統上由典型同步降壓轉換器的同步和控制接口所引致的傳導及開關耗損減到最少。」

IRF6798MPbF 中罐DirectFET提供低於1 mΩ 的導通電阻 (RDS(on)) ,讓整個負載範圍可保持極高的效率。新元件備有單片式整合式蕭特基二極管,能夠減少與體二極管傳導相關的耗損,並且反向復原耗損以進一步加強解決方案整體的性能。IRF6798MPbF也提供僅為0.25 mΩ的極低閘電阻 (Rg),避免了與Cdv/dt相關的擊穿。

IRF6706S2PbF小罐DirectFET也具備低電荷和低RDS(on) 來減少開關及傳導耗損,更為快速開關提供極低的Rg。

產品規格

元件編號 BVDSS (V) 在10V 下的典型RDS(on) (mΩ) 在4.5V 下的典型RDS(on) (mΩ) VGS (V) 在TA=25ºC下的 ID (A) 典型QG (nC) 典型QGD (nC) 框碼
IRF6798MPBF 25 0.915 1.6 +/-20 37 50 16 MX
IRF6706S2PBF 25 3.2 5.3 +/-20 17 12 4.2 S1

有關產品現正接受批量訂單。這些新元件的數據資料和應用說明已刊登於IR的網站www.irf.com。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件,可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

- 新聞稿有效日期,至2010/05/14為止


聯絡人 :王雅麟
聯絡電話:(02) 2577-2100 Ext. 810
電子郵件:lindayl.wang@eraogilvy.com

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