這項高性能PQFN封裝技術也適用於5 x 6 mm占位空間元件，但不用像標準PQFN 5 x 6 元件般，在設計要求更多電流時需要增加額外的占位空間。

該系列包括充當控制MOSFET的經優化元件，提供低閘極導通電阻 (Rg) 去減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面，新元件採用FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 組態方式供應，從而縮短逆向復原時間，以加強效率和EMI性能。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「新的高性能PQFN封裝元件系列為DC-DC應用提供經優化、非常可靠靈活的高密度解決方案。此外，隨著IR擴展PQFN產品，客戶現在可以從眾多封裝組合中作出適當選擇，讓他們的設計達到最佳成果。」

新元件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。

產品規格

元件編號 封裝 BVDSS (V) 最大VGS (V) 在10V下典型/最大RDSon (mΩ) 在4.5V下典型/最大RDSon (mΩ) 在4.5V下典型Qg (nC) 額外
芯片
功能
IRFHM831 PQFN 3x3 30V ±20V 6.6 / 7.8 10.7 / 12.6 7.3 低Rg
IRFHM830D PQFN 3x3 30V ±20V 3.4 / 4.3 5.7 / 7.1 13 FETky
IRFHM830 PQFN 3x3 30V ±20V 3.0 / 3.8 4.8 / 6.0 15
IRFH5303 PQFN 5x6 30V ±20V 3.6 / 4.2 5.7 / 6.8 15 低Rg
IRFH5304 PQFN 5x6 30V ±20V 3.8 / 4.5 5.8 / 6.8 16
IRFH5306 PQFN 5x6 30V ±20V 6.9 / 8.1 11.0 / 13.3 7.8
IRFH5255 PQFN 5x6 25V ±20V 5.0 / 6.0 8.8 / 10.9 7.0 低Rg
IRFH5250D PQFN 5x6 25V ±20V 1.0 / 1.4 1.7 / 2.2 39 FETky

新系列已接受批量訂單。有關的數據資料及MOSFET產品選擇工具亦於 IR 的網站 www.irf.com供應。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

- 新聞稿有效日期，至2010/12/21為止

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