新款的PQFN2x2元件分別適用於20V、25 V和30 V，還有標準或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件只需要4mm2的占位空間，並採用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。 IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的新型PQFN2x2元件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也滿足我們客戶的需求，進一步縮小的封裝尺寸，結合基準矽技術。這些新元件不但擁有超小尺寸和高密度，更非常適合與高度數位化內容相關的應用。」
這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時，新元件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。
產品規格
產品現正接受批量訂單。數據資料及MOSFET產品選項工具已刊登於 IR 的網站 www.irf.com。
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