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產業動態 Power Devices & ICs 國際研討會
財團法人自強工業科學基金會 本新聞稿發佈於2011/07/20,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

隨著節能議題在全世界持續延燒,功率電子技術逐漸在半導體領域中嶄露頭角,不論是傳統的晶圓代工,或是DRAM轉型,都將功率電子列入技術藍圖之中,例如德國Infineon已使用八吋設備製造CoolMOS,許多早期的六吋廠也加入Power ICs, MOSFET與Bipolar Devices的製造。此外國內蓬勃的類比IC設計與製造商也廣義地屬於功率半導體領域,都是本研討會預期可使其獲益的產業項目。

 
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隨著電源體積電路日益的縮小,其設計技術也必須與微電子IC設計技術整合;因此,Power IC 設計已成為一個需要具備特定專業知識與應用的IC設計產業。有鑑於此,自強基金會特別邀請來自英國劍橋大學的 Prof. Florin Udrea 及其實驗室(High Voltage Microelectronics Laboratory, HVM Lab) 深入淺出的方式來闡述 Power Devices & ICs 的相關觀念,並由基礎的組成元件開始介紹,繼而延伸到較複雜的 RESURF、Superjunction以及 SOI 技術。另外,進行詳盡的半導體元件與製程模擬軟體(TSUPREM4, MEDICI)的介紹與範例講解.期使所有參與人員能透過此 Power Devices & ICs 國際研討會,在功率元件物理與功率積體電路設計的專業議題上獲得廣泛且深入的資訊。
本研討會首次加入應用數值模擬技術於功率半導體設計之介紹,並講解與示範元件設計、製程設計與電路設計等重點單元。
日期 2011/10/01 ~ 2011/10/02 (週六、日)
對象 功率元件、模組與IC設計相關產業及有興趣之人士
地點 新竹清華大學研發大樓
主辦單位 財團法人自強工業科學基金會
歡迎企業廠商贊助,我們將保留固定名額給您! 請電洽 (03) 573-5521 分機 3213 謝小姐
Day 1 議題
08:00 ~ 08:30 Registration
08:30 ~ 10:20 Introduction to Power Semiconductor Devices - Wesley Hsu
(Classification of Power IC Devices and Devices Physics)
10:20 ~ 10:40 Coffee Break
10:40 ~ 12:00 Power MOSFETs - Florin Udrea
12:00 ~ 13:00 Luncheon
13:00 ~ 14:20 High voltage Diodes - Wesley Hsu
14:20 ~ 14:40 Break
14:40 ~ 16:00 IGBTs - Part1 - Florin Udrea
16:00 ~ 16:20 Coffee Break
16:20 ~ 17:30 IGBTs - Part 2 - Florin Udrea
Day 2 議題
08:00 ~ 08:30 Registration
08:30 ~ 10:20 Advance Devices/Technologies for HV Power ICs - Florin Udrea
10:20 ~ 10:40 Coffee Break
10:40 ~ 12:00 Superjunctions - Florin Udrea
12:00 ~ 13:00 Luncheon
13:00 ~ 14:20 Introduction to Power Device and Process TCAD Simulation- Florin Udrea and Alice Hsieh
14:20 ~ 14:40 Break
14:40 ~ 16:00 Example of IGBT and Superjunction TCAD Simulation - Alice Hsieh
16:00 ~ 16:20 Coffee Break
16:20 ~ 17:00 Mix-mode (TCAD-Spice) Power Device Simulation - Alice Hsieh

- 新聞稿有效日期,至2011/08/19為止


聯絡人 :mayhsieh
聯絡電話:03-5735521分機3213
電子郵件:mayhsieh@tcfst.org.tw

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