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德州儀器 (TI) 宣佈推出 3 款最新雙通道輸出閘極驅動器，可提升高密度隔離電源效率與可靠度，進一步擴大 MOSFET 驅動器產品陣營。
首款 120 V 啟動高/低側 MOSFET 驅動器
UCC27210 與 UCC27211 是業界首批 120 V 啟動高側 (high-side) 與低側 (low-side) 雙通道輸出 MOSFET 驅動器，提供高達 4 A 的輸出電流，且可消除驅動器輸入 -10 V 直流電 (VDC) 干擾。這兩款驅動器提供 18 ns 傳遞延遲 (propagation delay)，支援多重高頻率半橋及全橋電源拓樸。這些特性可為 100 V突波電壓需求的電信、伺服器及工業電源設計提高效率與可靠度。 UCC27210 與 UCC27211 的主要技術特性：
• 業界首批 120 V 的 4 A 高側與低側驅動器 (TTL 與偽 CMOS 相容輸入版本)，可驅動 N 通道高側與低側 FET；
• 0.9 Ω上拉 (pull-up) 及下拉 (pull-down) 電阻，可大幅度降低 MOSFET 轉換通過米勒平坦區 (Miller Plateau) 時的開關損耗；
• 提高系統可靠度：輸入支援 -10 V直流電壓，不需整流二極體，可直接連接閘極驅動器變壓器。
更快速驅動更高電流
針對二次側同步整流器 MOSFET 及 IGBT 電源開關，TI 同時推出業界速度最快的 5 A 雙通道低側驅動器。該 UCC27524 提供低脈衝失真與高效12 ns 傳遞延遲， 6 ns 上升時間與 1 ns 輸出延遲比對。該驅動器支援 4.5 V 至 18 V 寬泛運作電壓，可彈性結合兩組輸出高達 10 A 的應用，如驅動馬達驅動系統等。 UCC27524 的主要技術特性：
• 高電流與高效能：支援高效率 5 A 峰值源極與汲極驅動器電流。支援 4.5 V 至 18 V 寬泛輸入。兩組輸出可並行以支援更高電流的驅動器；
• 極快的速度：12 ns 標準傳遞延遲，6 ns 標準上升時間，兩個通道間僅 1 ns 標準輸出延遲比對；
• 精巧外形：採用業界標準 8 接腳 SOIC 及 PDIP 封裝。 - 新聞稿有效日期，至2012/02/10為止
聯絡人 ：APEX
聯絡電話：02-7718-7777*519
電子郵件：scott@apexpr.com.tw
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