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產業動態 新思科技之StarRC解決方案通過聯華電子28奈米設計認證
頤德國際 本新聞稿發佈於2012/05/03,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

新思科技之StarRC解決方案通過聯華電子28奈米設計認證 StarRC技術通過矽晶驗證 可供聯電28奈米客戶使用

 
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(台北訊) 全球半導體設計製造軟體暨IP領導廠商新思科技(Synopsys)近日宣布,其StarRC™寄生電路抽取(parasitic extraction)

解決方案通過聯華電子(UMC)最新28奈米製程技術的認證,在聯電所提供的測試評估設計環境中,該解決方案可達成矽晶驗證

(silicon-validated)的準確率,符合聯電先進28奈米Poly SiON及高介電金屬閘極(High K/Metal gate)製程的條件;StarRC技術文

件(technology files)已可供聯電28奈米製程客戶使用。

聯電客戶工程暨矽智財研發設計支援部簡山傑副總經理表示:「聯電持續透過與新思科技等先進EDA大廠合作,為客戶提供可成功達

成矽晶設計的高品質解決方案。新思科技StarRC寄生電路抽取解決方案,有效符合我們28奈米製程技術條件的要求,強化了我們提

供給28奈米製程客戶的資源廣度。而雙方的共同客戶可充分利用我們最先進的晶圓製程,成功達成創新產品的開發。」

StarRC是新思科技Galaxy™實作平台的重要工具軟體,該寄生電路抽取解決方案乃針對SoC、客製數位類比/混和訊號

(analog/mixed-signal,AMS)及記憶體設計(memory design)所開發。針對28奈米製程,StarRC所提供的功能包括主要寄生電路效應

(parasitic effect)的模型(modeling),如先進製程的重新定向效應(retargeting effect)、新的導孔蝕刻 (via etch)和耦合效應

(coupling effect)、導孔之電阻電容(via resistance and capacitance)、多項式擴散電阻(polynomial-based diffusion

resistance),以及經強化的佈線裝置寄生電路抽取。此外,StarRC也提供其他專為28奈米製程所設計的先進功能,包含針對快速、

高準確性的3D抽取之Rapid3D技術、多核效能及擴展性的強化、縮減面積的能力,以及針對大型SoC設計簽核(signoff)所提供的網表

(netlist)等。

新思科技設計實作事業群資深副總裁暨總經理Antun Domic表示:「StarRC持續在寄生電路抽取和先進製程設計簽核的技術上領先業

界,該解決方案通過聯電的驗證,可協助聯電28奈米客戶採用新思科技先進製程模型和抽取技術的優勢,而這將讓客戶更有把握達

成高效能28奈米產品的上市。」

關於Synopsys
總部位於美國加州山景市(Mountain Veiw)的新思科技【Synopsys Inc. (Nasdaq:SNPS)】,為全球領先的電子設計自動化(EDA,

Electronic Design Automation)廠商。專門提供先進的半導體設計軟體、驗證平台、智慧產權(IP) 、IC製造軟體,和FPGA解決方

案等產品,以協助半導體及電子產業的業者,進行複雜的積體電路(IC)設計、系統晶片(SoCs)等產品的開發與生產,讓客戶得以簡

化IC設計過程,加快產品問市的速度。Synopsys在北美、歐洲、日本和亞洲等近70個地區都設有分公司及辦事處,如需更詳盡資料

,請瀏覽新思科技網站: http://www.synopsys.com

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新聞聯繫:
台灣新思科技有限公司 何茂宗
電話: (02) 23453020轉分機55826

- 新聞稿有效日期,至2012/05/26為止


聯絡人 :Fred.Lin
聯絡電話:02-27043024#117
電子郵件:Fred.Lin@veda.com.tw

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