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產業動態 Microsemi推新一代超高效率NPT IGBT
Techworks Asia Ltd 本新聞稿發佈於2012/05/16,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

Microsemi推新一代超高效率NPT IGBT - - - - - Microsemi推出新一代1200V非貫穿型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的第一款產品

 
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Microsemi推新一代超高效率NPT IGBT

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC) 推出新一代1200V非貫穿型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的第一款產品。新的IGBT系列採用美高森美頂尖的Power MOS 8™技術,與競爭解決方案相比,整體開關和導通損耗顯著降低20%或以。這些IGBT元件主要針對焊接機、太陽能逆變器和不斷電與開關電源等應用。

美高森美新的離散元件產品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些元件可以獨立形式提供,或者與任何一款美高森美的FRED或碳化矽蕭特基(Schottky) 二極體組合封裝提供,以便簡化產品開發和製造。其它特性包括:

• 閘極電荷(Qg) 比競爭產品顯著減少,提供更快的開關性能;
• 硬體開關運作頻率高於80 KHz,達到更高效率的功率轉換;
• 易於並聯 (Vcesat之正溫度系數),可提升高功率應用的可靠性;以及
• 額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time,SCWT),為需要短路能力的應用提供可靠運作

APT40GR120B電晶體採用TO-247封裝,APT40GR120S採用表面安裝D3 PAK封裝,APT40GR120B2D30則是T-MAX® 封裝元件,包含了一個採用美高森美的專有「DQ」系列低開關損耗、額定雪崩能量二極體技術製造的30A反向平行、超快速恢復二極體。

供貨

美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產品具有以上全部特點,同時已經量產,可經由當地分銷商或美高森美銷售代表取得樣品。要瞭解更多的資訊,請以電子郵件sales.support@microsemi.com聯絡當地美高森美銷售代表或美高森美授權經銷商。

關於美高森美公司

美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對航太、國防與安全;企業與商業;以及工業與另類能源市場,提供半導體解決方案最全面的產品組合。產品包括高性能,高可靠度的類比和RF元件,混合訊號與RF積體電路,可客製化SoC,FPGA,和完整的子系統。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo,全球擁有約3000位員工。要了解詳情,請造訪其網站http://www.microsemi.com。

-完-

所有商標為美高森美公司財產,所有其它商標及服務標章屬有關擁有者所有。

以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的“安全規避”聲明:本文中所有還不是歷史事實的聲明均為「前瞻
性聲明」,這些「前瞻性聲明」可能涉及風險,不確定性和假設,而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。具體的前瞻性聲明包括推出新一代1200V非貫穿型IGBT與新的離散元件產品APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30,以及其對未來業務的潛在影響的陳述。其中,下列因素可能導致實際結果與這些前瞻性聲明中所描述的結果存在實質性的差異:技術的快速變化或產品停產;潛在成本上漲;客戶訂單偏好的改變;半導體行業的激烈競爭以及隨之而來的價格下滑壓力,對產品的需求與接受程度相關的不確定因素;終端市場的不利條件;正在進行中或已計劃的發展或市場推廣和宣傳所帶來的影響,預測未來需求的困難性;預期訂單或積壓訂單無法實現的可能性;產品責任問題,以及現有或預計半導體行業出現其它未能預計的潛在業務和經濟情況或不利因素;保護專利及其它所有權的困難性和成本,客戶的產品認證事宜而引致產品停產或其它困難等。美高森美將在未來不定期提交附加的風險因素。除這些因素和在本新聞稿的其他部分所提到的其他因素外,讀者還應參閱由美高森美向美國證券交易委員會備案的公司最新10-K表格及所有後續的10-Q報告中所述的因素,不確定性或風險。本新聞稿所含的前瞻性陳述僅敘述截至本稿刊發之日的情形,並且美高森美概不承擔對這些前瞻性陳述進行更新以反映後續事件或情況的義務。

- 新聞稿有效日期,至2012/06/16為止


聯絡人 :Venus
聯絡電話:852-25258038
電子郵件:venus@techworksasia.com

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