安森美半導體高性能元件推進可攜式及消費電子產品的 能效及保護性能

全面的產品陣容提供高整合度、特性豐富及能耗更低的產品，專門為電池供電、對雜訊敏感且空間受限的設計而開發

2012年11月13日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續讓多種可攜式及消費電子產品更省電，推出擴充陣容的高整合度、功能豐富、低能耗的方案，用於可攜式及消費電子產品。

安森美半導體在Electronica 2012推出的可攜式及消費應用新產品
安森美半導體在本年度的Electronica展會及研討會上推出兩款新的單頻道功率MOSFET。新的MCH3383 P溝道MOSFET提供12伏(V)的漏極至源極電壓(VDSS)、3.5安培(A)的漏極電流(ID)及69毫歐((mΩ))的導通電阻(RDS(ON))，而MCH3484 N溝道MOSFET提供20 V的VDSS、4.5 A的ID及330 mΩ的RDS(ON)。這些元件非常適合用於數位錄音筆(IC recorder)及智慧型手機。

展會上並推出NCP4545、NCP45520/21及NCP45524/25用於高能效電源域開關的ecoSWITCH系列，它們是極緊湊、先進負載管理方案的新成員。這些元件結合控制及驅動功能，均包含以可調節歪曲率控制提供的軟啟動功能，整合了低導通電阻功率MOSFET及電荷泵。它們適合於筆記型電腦/平板電腦、可攜式媒體裝置、企業級計算系統、熱插拔裝置、外接埠、電訊及工業裝置和各種可攜式裝置。

此外，NCP333、NCP334、NCP335、NCP336及NCP337是新推出的高性價比、極緊湊、高性能的負載開關。這些基於MOSFET的元件輸入電壓範圍涵蓋1.2 V至5.5 V，均內置輸出放電通道以消除輸入電壓軌上的殘餘電壓。它們經過了最佳化，用於手機、筆記型電腦/平板電腦及數位相機等應用。

安森美半導體還推出了NCP702、NCP703 及NCP729低壓降(LDO)線性穩壓器，這些元件的輸入電壓範圍為2.0 V至5.5 V，提供超低靜態電流和內置過熱關閉機制。這些元件的優異性能特性使其非常適合於必須維持訊號完整性的雜訊敏感型應用，如鎖相迴路(PLL)、振盪器、頻率合成器及低雜訊放大器。它們被證實極適用的終端產品包括智慧型手機、數位相機、平板電腦、可攜式DVD/媒體播放機、無線耳機、WiFi板和可攜式GPS系統，以及可攜式醫療設備。

請參觀安森美半導體於11月13日至16日德國慕尼黑Electronica 2012的展位(A5館225號)。

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關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)致力於推動高能效電子的創新，使工程師能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和訊號管理、邏輯、離散及訂製方案陣容，幫助客戶解決他們在汽車、通訊、電腦、消費電子、工業、醫療及軍事/航空應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.com。
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沈美娟
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安森美半導體
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- 新聞稿有效日期，至2012/12/13為止

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