在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500電晶體具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%洩極效率性能，經由單一元件在這個頻段上提供最高功率，主要特性包括：

• 標準脈衝間歇格式： 100µs, 10 % DF
• 出色的輸出功率： 500W
• 高功率增益： 11.5 dB min
• 洩極偏壓−Vdd： +65V
• 低熱阻： 0.2℃/W

使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)提供的系統優勢包括：

• 具有簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要額外整合較低功率元件
• 最高峰值功率和功率增益，可減少系統功率級數與末級整合
• 單級對管提供具有餘裕的1.0 kW峰值輸出功率，經由四電路組合提供全系統2kW峰值輸出功率
• 65V的高運作電壓縮小電源尺寸和DC電流需求
• 極其穩健的性能提升了系統良率，而且
• 放大器尺寸比使用矽雙極性晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)元件的產品減小50%

封裝和供貨：

2729GN-500電晶體採用單端封裝供貨，在密封性焊料密封封裝中採用100%高溫金鍍金線材佈線，以達到長期軍用級可靠性。美高森美為符合資格的客戶提供示範單元租借服務，並在公司網站www.microsemi.com上提供技術資料表。要瞭解更多的資訊，請發送電郵至sales.support@microsemi.com。

關於美高森美公司

美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對通訊、國防與安全、航太，醫療與工業，以及新能源市場提供最全面的半導體與系統解決方案產品組合。產品包括混合訊號與RF積體電路、SoC與ASICS、可程式類比解決方案、電源管理產品、時脈與語音處理元件、射頻解決方案、離散元件，以及乙太網路供電(PoE)IC與中跨(midspan)產品。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo，全球擁有約3000位員工。要了解詳情，請造訪其網站http://www.microsemi.com。

－完－

所有商標為美高森美公司財產，所有其它商標及服務標章屬有關擁有者所有。

以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的「安全規避」聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為「前瞻性聲明」，這些「前瞻性聲明」可能涉及風險，不確定性和假設，而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。具體的前瞻性聲明包括2729GN-500 RF電晶體，以及其對未來業務的潛在影響的陳述。其中，下列因素可能導致實際結果與這些前瞻性聲明中所描述的結果存在實質性的差異：技術的快速變化或產品停產;潛在成本上漲;客戶訂單偏好的改變;半導體業界的激烈競爭以及隨之而來的價格下滑壓力，對產品的需求與接受程度相關的不確定因素;終端市場的不利條件;正在進行中或已計劃的發展或市場推廣和宣傳所帶來的影響，預測未來需求的困難性;預期訂單或積壓訂單無法實現的可能性;產品責任問題，以及現有或預計半導體業界出現其它未能預計的潛在業務和經濟情況或不利因素;保護專利及其它所有權的困難性和成本，客戶的產品驗證事宜而引致產品停產或其它困難等。美高森美將在未來不定期提交附加的風險因素。除這些因素和在本新聞稿的其他部分所提到的其他因素外，讀者還應參閱由美高森美向美國證券交易委員會備案的公司最新10-K表格及所有後續的10-Q報告中所述的因素，不確定性或風險。本新聞稿所含的前瞻性陳述僅敘述截至本稿刊發之日的情形，並且美高森美概不承擔對這些前瞻性陳述進行更新以反映後續事件或情況的義務。

- 新聞稿有效日期，至2012/12/28為止

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