Power FET※2和IGBT※3等半導體絕緣膜的生產，常壓CVD生產設備不可或缺。但該生產設備使用SiH4※5、PH3※6、B2H6※7等對人體有害的氣體，所以必須進行排氣處理。 OEG的排氣處理設備“KGT-3MM-AP”採用的是濕式處理方式，可以高效處理CVD制膜過程中使用的特殊氣體和粉末。設備內部採用特種不銹鋼過濾器，不但提高了有害氣體處理能力，而且結構上不容易發生堵塞，因此不維修也可以長時間運營。另外，內部過濾器採用特殊構造，易於清潔，降低設備維修管理負擔而得到好評。並且，壓力控制微壓計也是為CVD制膜所使用氣體而開發的，排氣扇變頻控制實現了常壓CVD制膜過程中不可或缺的排氣壓力控制，保證長時間穩定運行。

三年前，作為天谷製作所（社長：吉岡獻太郎，總公司：日本埼玉縣越谷市）生產的連續常壓CVD生產設備所配備的排氣處理設備，OEG向安森美半導體提供了“ KGT-3MM-AP”。該設備連續作業無故障保證了CVD膜的穩定生產，其壓力控制方式和排放有害氣體的處理性能等得到安森美半導體的好評，再次被該公司歐洲工廠採用。採用該設備不僅可以確保其歐洲工廠NSG※8、PSG※9、BPSG※10等CVD膜的膜層厚度的穩定，還促進工廠提高產量，削減排氣處理費用。

OEG排氣處理設備的生產製造已有近30年的歷史，有為日本和台灣的半導體和太陽能電池生產廠家提供設備的豐富業績。此次是為歐洲客戶提供設備，還計劃將來開拓東南亞市場。

【用語解釋】
※1. CVD
CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積），是沉積方法的一種，在加熱主板上生成各種材質的薄膜。
※2. Power FET
Power FET （Power Field-Effect Transistor）是為處理大電力MOSFET※4而設計的，和其他電源設備比較，其開關速度快，在低壓區的轉換功效高，因此多用於200V以下的開關電源、DC -DC轉換器等。
※3. IGBT
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，用於電流控制。
※4. MOSFET
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體三極管）是場效應晶體管（FET）的一種，多采用二氧化矽材料，多用於集成電路。
※5. 矽烷（SiH4）
矽烷（silane，SiH4）分子量為32.12，是無色有臭氣體，是用於半導體生產的特殊氣體的代表。
※6. 磷化氫（PH3）
磷化氫（phosphine ，PH3）是一種無色、劇毒、易燃的氣體，無機化合物。是半導體生產原料混合氣體的原料，有時也用於n形矽的InGaP（銦鎵磷）半導體生產。
※7. 乙硼烷（B2H6）
乙硼烷（diborane，B2H6）是硼氫化合物，無色有臭味氣體，是重要的半導體材料。主要用於聚合催化劑和還原劑及火箭推進劑等。易燃、易爆、劇毒。
※8. NSG（None-doped Silicate Glass）膜
不含磷和硼等不純物質的二氧化矽（SiO2）膜。
※9. PSG（Phospho silicate glass）膜
含磷的矽氧化膜。
※10. BPSG（Boro-phospho silicate glass）膜
含硼和磷的矽氧化膜。

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