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產業動態 科銳第二代碳化矽功率 MOSFET的量產顯著節約功率轉換系統的成本
Techworks Asia Ltd 本新聞稿發佈於2013/03/14,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

科銳第二代碳化矽功率 MOSFET的量產顯著節約功率轉換系統的成本 - - - - - 新元件性價比增加了一倍

 
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科銳公司 (Cree, Inc) (Nasdaq: CREE)宣佈推出第二代碳化矽 (SiC) 功率MOSFET,是能夠使系統實現高效率及更小尺寸、以及高成本效益的矽解決方案。這新型1200V耐壓功率的MOSFET提供業界領先的功率密度和切換效率,每安培成本只有科銳前一代MOSFET產品的一半。從性價比上,新型的功率MOSFET是尺寸更小及重量更輕的碳化矽系統,通過提高效率及降低安裝成本,協助OEM客戶降低系統成本,並為終端用戶節省額外花費。

德國弗萊堡 (Freiburg) 行內著名的Fraunhofer研究院 (Fraunhofer-Institute) 專家Bruno Burger博士表示:「我們已經在先進的太陽能電路中採用科銳第二代碳化矽功率MOSFET進行評估。它們擁有最好的效率,並能讓系統在較高切換頻率時運作,從而實現尺寸更小的被動元件,尤其是更小的電感器。這樣大大提高了太陽能逆變器的成本/效能折衷,有助開發更小、更輕及更高效的系統。」

在一些高功率應用上,這些新型SiC MOSFET的優越性能可削減50%~70%所需額定電流。經過妥當的最佳化之後,客戶現在能以與以往的矽解決方案相同或更低的系統成本,獲得碳化矽性能上的優勢。對於太陽能逆變器和不斷電系統(UPS),效率會隨著尺寸和重量的減少而提升。在馬達驅動應用方面,可協助其功率密度增加一倍以上,同時提高工作效率,並較其它具有相同額定的矽解決方案提供多兩倍的最大扭矩。新產品提供的範圍已經擴展到包含一個更大的25毫歐姆晶粒,鎖定30kW以上功率水準的高功率模組市場;而80毫歐姆元件則為第一代MOSFET提供更低成本、更高性能的升級方案。

科銳功率及射頻事業部副總裁及總經理Cengiz Balkas表示:「有了這個新MOSFET平臺,我們在多個領域上都贏得客戶的導入設計。由於第二代SiC MOSFET受到迅速接納,我們不但提前為幾家客戶量產出貨,而且我們也正在依客戶要求加速量產。」

科銳現提供額定電阻為25毫歐姆及80毫歐姆的晶粒,前者作為50安培基本組件用於高功率模組;而80毫歐姆導功率MOSFET則採用TO-247封裝,以優越性能及較低成本,取代科銳第一代產品CMF20120D。封裝元件可通過代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可購得。

要瞭解有關科銳公司和產品的更多資訊,請瀏覽公司網站http://scn.cree.com/products/power.asp。

歡迎參觀於3月17日至3月21日期間在加州長灘市舉行的APEC會議,在科銳的展位#210上獲得更多關於這項新產品的相關內容。

關於科銳 (Cree)
科銳引領著LED照明變革,並利用節能的無汞LED照明產品來淘汰低效能源的傳統照明技術,科銳是照明級LED、LED照明,以及電源和射頻(RF)應用半導體產品的市場領先創新廠商。

科銳的產品系列包括LED燈具和燈泡、藍光和綠光LED晶片、高亮度LED、照明級大功率LED、功率開關元件和RF元件。科銳的產品正在推動通用照明、背光照明、電子顯示和訊號、電源和太陽能逆變器等應用的改進。

要瞭解有關科銳公司和產品的更多資訊,請參閱公司網站www.cree.com,要瞭解有關LED照明革新的更多資訊,請參閱網站www.creeledrevolution.com。

Cree® 是Cree, Inc的註冊商標。

本新聞稿包含了涉及(已知和未知)風險和不確定性的前瞻性聲明,可能導致實際結果與這些預期說明出現重大的差異。實際結果可能發生重大差異的諸多因素包括實際節能與預期不同的風險;我們可能無法以足夠低的成本製造這些新產品,從而提供具有競爭力的價格或可接受的利潤;我們可能在新產品產量提高時發生延遲或其它困難的風險;客戶對於LED產品的接受程度;新技術和競爭產品的快速開發可能削弱對科銳產品的需求或導致科銳產品的淘汰,以及在科銳公司提交予證券交易委員會的檔中討論的其它因素,包括截至2012年6月24日的Form 10-K報告,以及後續檔案。

- 新聞稿有效日期,至2013/04/14為止


聯絡人 :Venus
聯絡電話:852-25258038
電子郵件:venus@techworksasia.com

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