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產業動態 富士通半導體推出全新1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產品
世紀奧美公關 本新聞稿發佈於2013/03/25,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈,推出兩款全新1 Mbit和2 Mbit FRAM產品MB85RS1MT與MB85RS2MT。

 
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打造小型化設備及降低設備功耗
為智慧電表、工業機械和醫療設備提供最佳化功能

2013年3月25日,香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈,推出兩款全新1 Mbit和2 Mbit FRAM產品MB85RS1MT與MB85RS2MT。新產品是目前富士通產品系列中最高容量的序列介面FRAM元件,預計在本(3)月底開始為客戶提供樣品。

富士通半導體持續開發FRAM產品系列,全新的MB85RS1MT(1 Mbit)和 MB85RS2MT(2 Mbit)為目前富士通提供的最高容量的SPI序列介面FRAM元件。兩款新型FRAM元件保證提供10萬億次的讀/寫週期,是現有FRAM晶片的10倍,可針對即時、連續資料記錄提供更好的支援,適用於智慧電表、工業機械和醫療設備等應用。

智慧電表、量測設備、工業機械和醫療設備(如助聽器)等設備都需要序列介面的1-2 Mbit非揮發性記憶體,現在已可採用富士通半導體的全新型FRAM產品取代傳統的EEPROM。在提升快速寫入功能後更可提供更高的效能,同時也將因電壓突然下降或者停電引起的資料遺失風險降至最低。相較於相同容量的EEPROM元件,MB85RS1MT和MB85RS2MT寫入時可減少92%的用電功耗,延長電池壽命。

對於使用SRAM記錄資料和使用EEPROM儲存參數和程式的工業機械用途而言,新款FRAM產品可將EEPROM、SRAM和用於資料保存的電池系統記憶體元件所需的功能整合至單一晶片中,進而減少所需元件的數量,更不必更換電池,因而可大幅降低元件成本、電路板面積和功耗,有助於發展更小型、低功耗的設備,不再需要備用電池。

FRAM具備非揮發性資料儲存功能和高速資料寫入的隨機存取優點。不但提升效能,更能在儀表設備等應用面臨電源臨時中斷時保護資料。FRAM寫入機制仍能確保資料可高速寫入FRAM元件,而不會損失任何重要資料。富士通半導體的FRAM產品自1999年量產後,憑藉這項功能帶來的優勢,已廣泛採用於工廠自動化設備、量測設備、金融業銷售點管理和醫療設備等領域。

概括而言,新型的FRAM產品擁有減少電路板面積、不必更換電池、降低功耗和元件成本等四大優勢。展望未來,富士通半導體將持續為客戶提供解決方案、協助客戶提高產品效能和設備維護,並大幅降低風險。

供應時程
  富士通半導體計劃在在本月底開始為客戶提供MB85RS1MT和MB85RS2MT的樣品。客戶可向富士通當地銷售業務人員洽詢樣品價格。

更多FRAM產品MB85RS1MT與MB85RS2MT資訊請瀏覽以下網站:
FRAM產品:http://www.fujitsu.com/cn/fsp/tw/memory/fram/


關於香港商富士通半導體有限公司台灣分公司(Fujitsu Semiconductor Pacific Asia Ltd., Taiwan Branch)
香港商富士通半導體有限公司台灣分公司為富士通半導體事業體系之一員,主要負責富士通半導體在台灣市場半導體的銷售業務,提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。
香港商富士通半導體有限公司台灣分公司的產品包括:專用積體電路(ASIC)、微控制器(MCU)、特定應用標準產品(ASSP)/系統單晶片(SoC)和系統儲存晶片。該公司的前身為1996年10月29日成立的新加坡商富士通亞太微電子股份有限公司台灣分公司,並於2010年7月22日正式更名。富士通半導體亞太有限公司與富士通半導體(上海)有限公司、新加坡的富士通半導體亞洲私人有限公司共同組成亞太地區的設計、開發及技術支援網路。有關詳細公司資訊,請瀏覽http://cn.fujitsu.com/fsp/tw網站。

- 新聞稿有效日期,至2013/04/25為止


聯絡人 :陳琬愉
聯絡電話:25772100
電子郵件:nicolewy.chen@eraogilvy.com

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