美高森美的NPT IGBT產品系列是針對各式各樣需要大功率和高性能的工業應用而設計的，最新的器件非常適合電焊機、太陽能逆變器，以及不斷電供應系統和開關電源。1200V產品系列中的所有器件均以美高森美先進的Power MOS 8™技術為基礎，相較於其他的競爭解決方案，總體開關和導通損耗顯著地降低至少20%。

美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產品系列中的所有器件一樣，可與美高森美的FRED或碳化矽肖特基二極體封裝在一起，以便為工程師提供高整合度的解決方案，從而簡化產品的開發工作。其它特性包括：

• 與同類器件相比，柵極電荷顯著減少，具有更快的開關性能；
• 硬開關運作頻率超過80KHz，可實現高效的功率轉換；
• 易於並聯(Vcesat的正溫度係數)，提升大功率應用的可靠性
• 額定短路承受時間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT)，在需要短路能力的應用中實現可靠的運作

除了器件優勢之外，美高森美還為NPT IGBT器件提供貼片-D3封裝，可讓設計人員實現更高的功率密度和更低的製造成本。

封裝和供貨

美高森美的1200V NPT IGBT產品系列現在包括20多款器件，額定電流有25A、40A、50A、70A和85A。IGBT產品採用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。

新器件目前已在生產中，要瞭解更多的資訊，或需要產品的樣品，請將電子郵件寄至sales.support@microsemi.com，或與當地分銷商和美高森美的銷售代表聯絡。

關於美高森美公司

美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對通訊、國防與安全、以及航太與工業提供最全面的半導體與系統解決方案產品組合。產品包括高性能、耐輻射的高可靠性模擬和射頻元件，可程式邏輯元件(FPGA)、單晶片系統(SoC)與ASICS；電源管理產品、時脈與語音處理元件、射頻解決方案；離散元件；安全技術和可擴展反篡改產品；以及乙太網路供電(PoE)IC與中跨(midspan)產品；以及客製化設計能力與服務。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo，全球擁有約3000位員工。要了解詳情，請造訪其網站http://www.microsemi.com。

－ 完 －

Microsemi與公司標誌，以及其它商標均是美高森美公司與/或其附屬公司的商標或注冊商標。所有其它商標及服務標章屬有關擁有者所有。

以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的“安全規避”聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為“前瞻性聲明”，這些“前瞻性聲明”可能涉及風險，不確定性和假設，而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。具體的前瞻性聲明包括新一代工業溫度碳化矽(SiC)標準功率模組，以及其對未來業務的潛在影響的陳述。其中，下列因素可能導致實際結果與這些前瞻性聲明中所描述的結果存在實質性的差異：技術的快速變化或產品停產，潛在成本上漲，客戶訂單偏好的改變；半導體行業的激烈競爭以及隨之而來的價格下滑壓力，對產品的需求與接受程度相關的不確定因素;終端市場的不利條件；正在進行中或已計畫的發展或市場推廣和宣傳所帶來的影響，預測未來需求的困難性；預期訂單或積壓訂單無法實現的可能性；產品責任問題，以及現有或預計半導體行業出現其它未能預計的潛在業務和經濟情況或不利因素；保護專利及其它所有權的困難性和成本，客戶的產品認證事宜而引致產品停產或其它困難等。美高森美將在未來不定期提交附加的風險因素。除這些因素和在本新聞稿的其他部分所提到的其他因素外，讀者還應參閱由美高森美向美國證券交易委員會備案的公司最新10-K表格及所有後續的10-Q報告中所述的因素，不確定性或風險。本新聞稿所含的前瞻性陳述僅敘述截至本稿刊發之日的情形，並且美高森美概不承擔對這些前瞻性陳述進行更新以反映後續事件或情況的義務。

- 新聞稿有效日期，至2013/05/04為止

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