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產業動態 美高森美選擇英特爾代工服務開發數位積體電路
雋科公關 本新聞稿發佈於2013/05/08,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

美高森美選擇英特爾代工服務開發數位積體電路 - - - - - 美高森美使用英特爾22奈米Tri-Gate 電晶體技術進行開發,預計於2014年底到 2015年初提供產品

 
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致力於提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)宣佈利用英特爾公司(紐約納斯達克交易所代號:INTC)業界領先的onshore代工技術和使用英特爾革新性22 奈米 (nm) 3D、三閘(Tri-Gate)電晶體技術,開發先進的高性能數位積體電路(IC)和系統單晶片(SoC)解決方案。

這項於2013年1月簽署的協定與美高森美的策略相一致,將充分利用公司廣泛的高技術組合增取更高性能和更高價值的機會。英特爾的三閘(Tri-Gate)電晶體提供了空前的性能和功效組合,使得美高森美能夠開發用於高性能運算、網路加速和訊號處理應用的數位IC產品。目前美高森美正在與客戶接洽,並且開始使用英特爾22 奈米 (nm)節點製程進行設計,預計將於2014年底到2015年初提供產品。

美高森美積體電路事業部執行副總裁Paul Pickle表示:「我們針對的高價值應用需要具備獨特的性能和複雜的功能特性的半導體解決方案,借助使用英特爾的創新製程技術和經過矽產品驗證的IP,我們能夠為通訊和國防市場提供性能較高、功耗較低的數位IC產品,擴大在所服務之市場的機會。」

英特爾技術和製造事業部副總裁Sunit Rikhi表示:「英特爾很高興使用先進的22奈米(nm)製程技術和IP解決方案,來為美高森美提供數位IC解決方案。」

關於英特爾3D Tri-Gate電晶體

英特爾公司的3D 三閘(Tri-Gate)電晶體是重新打造的電晶體。傳統的「平面」2D閘極換成3D矽晶薄片,垂直附在矽基板的表面上。薄片三個平面上各有一個閘極,用來控制電流,兩側各有一個,第三個則位於頂端,而不是像2D平面電晶體那樣只有在頂端處有唯一一個閘極。附加的控制元件讓電晶體在切換至「開啟」狀態時能流入更多電流(以提高效能),而且由於三閘結構的低寄生效應,當電晶體處於「關閉」狀態時可讓電流盡可能接近零(以達到最低耗電),並且讓電晶體能夠在兩個狀態之間非常快速地開關(同樣是為了提高效能)。在速度方面,22奈米(nm)電晶體在一秒鐘內的開關次數能夠遠遠超過10億次。

關於美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 為通訊、國防與安全、航太與工業提供綜合性半導體與系統解決方案,產品包括高性能、耐輻射的高可靠性模擬和射頻器件,可編程式設計邏輯器件(FPGA)可定制單晶片系統(SoC) 與專用積體電路(ASIC);功率管理產品、時鐘與語音處理器件,RF解決方案;分立組件;安全技術和可擴展反篡改產品;乙太網供電(PoE)IC與電源中跨(Midspan)產品;以及定制設計能力與服務。美高森美總部設於美國加利福尼亞州Aliso Viejo,全球員工總數約3,000人。欲獲取更詳盡資訊,請瀏覽網站:http://www.microsemi.com。

- 完 -

發稿:美高森美公司
代發:雋科公關有限公司

媒體垂詢,請聯絡:
美高森美公司
Gwen Carlson
電子郵件:Gwen.carlson@microsemi.com

雋科公關
李家慧
電話:(852) 2525 3980
傳真:(852) 2525 1893
電子郵件:karrie@techworksasia.com

- 新聞稿有效日期,至2013/06/08為止


聯絡人 :Emmy Kwok
聯絡電話:852 25258978
電子郵件:emmy@techworksasia.com

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