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產業動態 美高森美針對工業應用推出新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
雋科公關有限公司 本新聞稿發佈於2013/08/21,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

美高森美針對工業應用推出新一代大功率、高性能650V NPT IGBT ----- 快速高效的40A、70A和95A電晶體可提供業界最佳的開關損耗性能

 
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致力於提供功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 宣佈已開始供應下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣雙極閘電晶體(insulated bipolar gate transistors, IGBT) 產品,它們具有45A、70A和95A等三種額定電流可供選擇。美高森美全新NPT IGBT產品系列是專為嚴苛工作環境所設計的產品,尤其適用於太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。

美高森美新的功率器件因可提供業界最佳的損耗性能,從而改善了效率,與最接近競爭廠商的IGBT產品相比,效率大約提高了8%。新的NPT IGBT器件還能夠實現高達150 kHz的極高開關速率,在與美高森美的碳化矽(silicon carbide, SiC) 飛輪二極體 (free-wheeling diode)配對使用時,開關速率還可進一步提高。針對最高150 KHz的較低速率應用,這些領先的650V NPT IGBT藉由替代成本更高的600V至650V MOSFET器件,可讓開發人員降低整體的系統成本。

下一代650V產品系列中的所有器件都是建基於美高森美先進的Power MOS 8™ 技術,並採用了最先進的晶圓薄化(wafer thinning)製程。與競爭解決方案相比,可顯著地降低整體開關損耗,及讓器件在難以置信的快速開關頻率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市場累積的雄厚經驗,美高森美希望擴大IGBT市場占有率,根據Yole Développement最新的研究報告指出,此市場將從現今的36億美元增長到2018年的60億美元。

這些NPT IGBT器件易於並聯(Vcesat正溫度係數),可以提升大電流模組的可靠性。它們還具有額定短路耐受時間(short circuit withstand time rated, SCWT),可以在嚴苛的工業環境下可靠地運作。

新的IGBT器件具有各種封裝,包括TO-247、T-MAX和模組。要瞭解更多資訊或索取樣品,請聯絡當地分銷商或美高森美銷售代表,或發送電子郵件到sales.support@microsemi.com。要瞭解更多的生產資訊,請瀏覽公司網站www.microsemi.com。

- 新聞稿有效日期,至2013/09/21為止


聯絡人 :Emmy Kwok
聯絡電話:852 25258978
電子郵件:emmy@techworksasia.com

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