全新FastIRFET系列配備IR新一代矽技術，並採用了符合行業標準的PQFN封裝，為分立式DC-DC轉換器帶來基準功率密度。該系列包括能夠提供低至0.7 mΩ導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，以及旨在降低鳴震和進一步提升系統效率的IRFH4210D及IRFH4213D單片FETKY元件。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「這款先進的25V FastIRFET MOSFET為高效能分立式DC-DC開關應用提供行業領先的功率密度。這些元件與IR旗下整合式SupIRbuck、PowIRstage和功率區塊平台相輔相成，給予設計師一系列高效能DC-DC轉換器選擇。」

IR FastIRFET元件為5V閘極驅動應用作出優化，可與各種控制器或驅動器共同操作，從而使設計更靈活，並且以小佔位面積實現高電流、效率和頻率。新款元件採用了符合行業標準的5x6mm和3.3x3.3mm PQFN封裝，備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的環保物料清單。

規格

-封裝:PQFN 5x6

元件編號
IRFH4201：
在25°C 下的Id max-100A
典型/最高RDSon：
@ 10V(mΩ)- 0.70 / 0.95
@ 4.5V(mΩ)- 1.00 / 1.25
典型QG @ 4.5V (nC)- 46
典型QGD @ 4.5V (nC)- 16

IRFH4210D (FETKY)：
在25°C 下的Id max-100A
典型/最高RDSon：
@ 10V(mΩ)- 0.85 / 1.10
@ 4.5V(mΩ)- 1.10 / 1.35
典型QG @ 4.5V (nC)- 36
典型QGD @ 4.5V (nC)- 13

IRFH4210：
在25°C 下的Id max-100A
典型/最高RDSon：
@ 10V(mΩ)- 0.85 / 1.10
@ 4.5V(mΩ)- 1.10 / 1.35
典型QG @ 4.5V (nC)- 36
典型QGD @ 4.5V (nC)- 13

IRFH4213D (FETKY) ：
在25°C 下的Id max-100A
典型/最高RDSon：
@ 10V(mΩ)- 1.10 / 1.35
@ 4.5V(mΩ)- 1.5 / 1.9
典型QG @ 4.5V (nC)- 26
典型QGD @ 4.5V (nC)- 9.2

IRFH4213：
在25°C 下的Id max-100A
典型/最高RDSon：
@ 10V(mΩ)- 1.10 / 1.35
@ 4.5V(mΩ)- 1.5 / 1.9
典型QG @ 4.5V (nC)- 26
典型QGD @ 4.5V (nC)- 9.2

IRFH4234：
在25°C 下的Id max-100A
典型/最高RDSon：
@ 10V(mΩ)- 3.5 / 4.6
@ 4.5V(mΩ)- 5.6 / 7.3
典型QG @ 4.5V (nC)- 8.2
典型QGD @ 4.5V (nC)- 3.1

-封裝:PQFN 3.3x3.3

元件編號
IRFHM4226：
在25°C 下的Id max-40A
典型/最高RDSon：
@ 10V(mΩ)- 1.7 / 2.2
@ 4.5V(mΩ)- 2.6 / 3.3
典型QG @ 4.5V (nC)- 16
典型QGD @ 4.5V (nC)- 5.8

IRFHM4234：
在25°C 下的Id max-40A
典型/最高RDSon：
@ 10V(mΩ)- 3.5 / 4.6
@ 4.5V(mΩ)- 5.6 / 7.3
典型QG @ 4.5V (nC)- 8.2
典型QGD @ 4.5V (nC)- 3.1

產品現正接受批量訂單，數據資料已在 IR 的網站http://www.irf.com供應。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)

國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算，且為廣泛的商業和消費者應用節省能源 。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

- 新聞稿有效日期，至2013/10/27為止

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