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產業動態 高通多頻多模4G LTE解決方案 漫遊全球 暢行無阻
Compass PR 本新聞稿發佈於2013/09/30,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

4G熱潮席捲全球,包括美國、香港、日本、韓國與歐洲等市場皆已開放LTE的商用網路。支援多頻多模的LTE晶片將是全球LTE發展的重要關鍵,而高通第三代Gobi 4G LTE數據機、可支援包括4G LTE-Advanced載波聚合在內的Snapdragon處理器、以及可支援全球40多個4G LTE/3G/2G射頻頻段的RF360前端解決方案等。

 
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4G熱潮席捲全球,包括美國、香港、日本、韓國與歐洲等市場皆已開放LTE的商用網路,而根據媒體報導,今年年底中國有望開放4G釋照,而台灣現正進行4G執照競標,預計今年年底完成釋照,全球4G LTE的版圖將再度擴張。支援多頻多模的LTE晶片將是全球LTE發展的重要關鍵,而高通第三代Gobi 4G LTE數據機、可支援包括4G LTE-Advanced載波聚合在內的Snapdragon處理器、以及可支援全球40多個4G LTE/3G/2G射頻頻段的RF360前端解決方案等,能讓各種類型LTE裝置暢行全球,使消費者擁有真正無縫接軌的行動新體驗。

根據全球行動設備供應商協會(Global Mobile Suppliers Association;GSA)最新數據顯示,截至今年9月5日,目前全球共有406個LTE網路佈署於215個國家,其中已有213個LTE商用網路於81個國家展開服務,另外還有50個LTE網路將於9個國家展示試驗。GSA估計,於2013年底,全球將有260個LTE商用網路於93個國家展開服務。而截至今年9月6日,全球LTE用戶數也已超過1億。由此可見,全球4G LTE的發展正如火如荼的展開,而4G LTE的快速發展也將為晶片供應商、電信營運商及裝置製造商等帶來龐大商機。

根據中國政府所頒布的《「寬帶中國」戰略及實施方案》,至2020年,中國的3G/LTE用戶普及率將高達85%,總用戶數也將達12億人。而行動網路與智慧型手機的爆炸性發展,也讓4G LTE成為行動通訊史上用戶數成長最快的技術之一,而4G LTE手機的用戶將更關注智慧型裝置所提供的卓越體驗,包括對多頻多模的支援、網頁瀏覽速度、功耗、圖形處理器表現等。

為提供使用者更卓越的使用體驗,以迎接將蓬勃發展的4G新時代,高通以其領先業界的無線技術推出多款可同時兼容3G/4G LTE的多模多頻晶片與LTE解決方案,根據GSA數據顯示,截至今年8月25日,全球共有111家裝置製造商發表1,064款LTE用戶裝置,而基於高通晶片組,目前全球已發布和正在研發的LTE各類終端已超過950款,包括:
• Snapdragon 800系列處理器整合高通第三代4G LTE數據機,可支援CDMA 2000(1X、DO)、GSM/EDGE、WCDMA、TD-SCDMA、LTE TDD/LTE FDD、HSPA+ Cat. 10和LTE-A。目前包括三星Galaxy S4 LTE-A、索尼Xperia Z1與Z Ultra、三星Galaxy Note 3、樂金LG G2、宏碁Liquid S2及華碩The New PadFone Infinity等多款商用化LTE裝置皆搭載Snapdragon 800系列處理器,其中三星Galaxy S4 LTE-A更是全球首款支援LTE-Advanced載波聚合技術的智慧型手機,其數據傳輸速率最高達150Mbps。
• Snapdragon 400系列處理器可支援LTE TDD/LTE FDD/HSPA+/CDMA2000/WCDMA/TD-CDMA/GSM,是專門針對大眾市場入門級與中階智慧型手機所設計。目前包括三星Galaxy S4 mini、HTC One SV、天語手機Touch 1等LTE商用化裝置皆搭載Snapdragon 400系列處理器。
• 高通參考設計(Qualcomm Reference Design;QRD)為業內首項支援4G LTE的參考設計平台。上述天宇朗通近期發表的天語Touch 1智慧型手機,便是首款基於QRD平台的4G LTE智慧型手機,搭載高通Snapdragon 400系列處理器。
• 高通第三代Gobi 4G LTE數據機是首款內建支援LTE載波聚合與LTE Cat.4的行動運算解決方案,最高資料傳輸速率可達150Mbps。日本電信商SoftBank Mobile所推出的203Z和日本電信商eAccess推出的GL09P行動熱點(Pocket WiFi),為全球首批基於高通第三代Gobi數據機MDM9x25的商用裝置。
• 高通RF360前端解決方案支援全球40種不同無線射頻頻譜和七種網路標準(LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE)RF360前端解決方案所包含的包絡功率追蹤晶片(Envelope Power Tracker),可根據具體的運行模式,將熱量消耗和無線射頻功耗降低最高達30%;而RF360縮小射頻前端尺寸,使之與當前的行動裝置相比,所占空間縮減50%。三星近期發表的Galaxy Note 3便是全球首款搭載高通RF360包絡功率追蹤晶片QFE1100的旗艦機種。

隨著4G LTE的網路建置不斷擴增、4G LTE終端裝置的急速成長、以及使用者對無線數據傳輸與無縫行動體驗的強大需求,促使晶片商紛紛投入開發多頻多模的LTE晶片,以滿足行動通訊產業以及終端消費者的需求。高通向來致力於創新無線技術的研發,目前已經推出第三代4G LTE晶片組,在效能、功耗和成熟度上處於業界領先地位,目前支援全球七大蜂窩網路標準、40多個射頻頻段以及主要LTE語音解決方案,並覆蓋各個層級和各種類型的裝置,期望讓全球消費者擁有最佳行動體驗,以單一手機漫遊全球,暢行無阻。

關於美國高通公司
美國高通公司 (NASDAQ: QCOM) 為全球3G、4G和新一代無線技術領導廠商,包括高通技術授權事業(Qualcomm Technology Licensing;QTL) 及大部分的專利組合。另外,高通全資子公司美國高通技術公司 (Qualcomm Technologies, Inc.;QTI),與其子公司一起負責管理高通所有工程、研發及產品和服務業務,包括負責半導體業務的QCT。25年多來,高通公司的構想與創新已驅動數位通訊的演進,讓各地的人們與資訊、娛樂、以及彼此間有更緊密的連結。欲知更多詳情,請造訪美國高通公司官方網站、部落格、微博、Twitter、與Facebook。

- 新聞稿有效日期,至2013/10/31為止


聯絡人 :Kelly
聯絡電話:25466086
電子郵件:kelly.liang@compasspr.com.tw

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