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產業動態 IR 20-30V StrongIRFET系列 提供極低導通電阻
世紀奧美公關 本新聞稿發佈於2014/04/07,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列,為高效能運算及通訊等應用推出20到30V的元件。其中的IRL6283M 20V DirectFET為該系列的重點元件,備有極低的導通電阻 (RDS(on))。

 
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IRL6283M在超薄的30 mm2 DirectFET中型罐封裝內配備低至500 μΩ (典型值) 的導通電阻,以大幅降低傳導損耗,因而非常適合動態ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新元件可從3.3V、5V或12V的電源軌操作,而且當電流達到20A時,更比尺寸同為30 mm2的同類型最理想PQFN元件降低15%的損耗,使設計師能夠在高電流應用內減少元件數量。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「StrongIRFET系列經過擴充後,能夠滿足市場對動態ORing和電子保險絲高效率開關的需求。全新IRL6283M在高效能封裝內配備了行業領先的導通電阻,實現無可比擬的功率密度。」

與DirectFET系列的其他元件一樣,IRL6283M提供有效增強電氣和溫度效能的上層散熱功能,以及旨在改善可靠性的無鍵合線設計。此外,DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求,例如完全不含鉛的物料清單可迎合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了高鉛裸片,雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限,但豁免將於2016年到期。

IR的StrongIRFET系列同時提供採用了行業標準佔位面積的PQFN封裝元件,並備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令的環保物料清單。

規格如下
-元件編號IRL6283M:電壓(V)20,最高VGS(V)12,封裝DirectFET MD,電流額定值(A)是211,導通電阻 (典型/最高) 各是@10V為.50/.75、@ 4.5V為.65/.87、@2.5V為1.1/1.5,資格水平為工業。
-元件編號IRFH8201:電壓(V)25,最高VGS(V)20,封裝PQFN 5x6B,電流額定值(A)是100*,導通電阻 (典型/最高) 各是@10V為.80/.95、@ 4.5V為1.20/1.60、@2.5V不適用,資格水平為工業。
-元件編號IRFH8202:電壓(V)25,最高VGS(V)20,封裝PQFN 5x6B,電流額定值(A)是100*,導通電阻 (典型/最高) 各是@10V為.90/1.05、@ 4.5V為1.40/1.85、@2.5V不適用,資格水平為工業。
-元件編號IRFH8303:電壓(V)30,最高VGS(V)20,封裝PQFN 5x6B,電流額定值(A)是100*,導通電阻 (典型/最高) 各是@10V為.90/1.10、@ 4.5V為1.30/1.70、@2.5V不適用,資格水平為工業。
-元件編號IRFH8307:電壓(V)30,最高VGS(V)20,封裝PQFN 5x6B,電流額定值(A)是100*,導通電阻 (典型/最高) 各是@10V為1.1/1.3、@ 4.5V為1.7/2.1、@2.5V不適用,資格水平為工業。
-元件編號IRF8301M:電壓(V)30,最高VGS(V)20,封裝DirectFET MT,電流額定值(A)是192,導通電阻 (典型/最高) 各是@10V為1.3/1.5、@ 4.5V為1.9/2.4、@2.5V不適用,資格水平為工業。


產品現正接受批量訂單。數據資料及Spice模型已於IR的網站http://www.irf.com提供。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)

國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算,且為廣泛的商業和消費者應用節省能源 。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

商標
IR及DirectFET為美商國際整流器公司的註冊商標。所有其他的產品名稱可能與其相關持有人擁有的商標名稱相同。

- 新聞稿有效日期,至2014/05/08為止


聯絡人 :殷嘉霙
聯絡電話:02-25772100 ext. 830
電子郵件:joannecy.yn@eraogilvy.com

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