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全新60V StrongIRFET功\率MOSFET系列配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過行業最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。新元件提供插入式及表面黏著D2-PAK封裝選擇。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 60V StrongIRFET元件系列具有極低的導通電阻，而且完全通過嚴格的行業級雪崩測試，以確保產品堅固耐用。新元件提供基準效能MOSFET選擇，旨在為工業市場作出優化。」
規格
*採用了穿孔式封裝的60V StrongIRFET
-元件標號IRFB7530：BVDSS為60V，在25°C下的ID為195A，在VGS=10V下的最高導通電阻為2.0，在VGS=10V下的閘極電荷274，封裝TO-220
-元件標號IRFP7530：BVDSS為60V，在25°C下的ID為195A，在VGS=10V下的最高導通電阻為2.0，在VGS=10V下的閘極電荷274，封裝TO-247
-元件標號IRFB7534：BVDSS為60V，在25°C下的ID為195A，在VGS=10V下的最高導通電阻為2.4，在VGS=10V下的閘極電荷186，封裝TO-220
-元件標號IRFB7537：BVDSS為60V，在25°C下的ID為195A，在VGS=10V下的最高導通電阻為3.3，在VGS=10V下的閘極電荷142，封裝TO-220
-元件標號IRFP7537：BVDSS為60V，在25°C下的ID為195A，在VGS=10V下的最高導通電阻為3.3，在VGS=10V下的閘極電荷142，封裝TO-247
-元件標號IRFB7540：BVDSS為60V，在25°C下的ID為110A，在VGS=10V下的最高導通電阻為5.1，在VGS=10V下的閘極電荷88，封裝TO-220
-元件標號IRFB7545：BVDSS為60V，在25°C下的ID為85A，在VGS=10V下的最高導通電阻為5.9，在VGS=10V下的閘極電荷75，封裝TO-220
-元件標號IRFB7546：BVDSS為60V，在25°C下的ID為58A，在VGS=10V下的最高導通電阻為7.3，在VGS=10V下的閘極電荷58，封裝TO-220 *採用了表面黏著D2-PAK封裝的60V StrongIRFET
-元件標號IRFS7530-7P：BVDSS為60V，在25°C下的ID為240A，在VGS=10V下的最高導通電阻為1.4，在VGS=10V下的閘極電荷236，封裝D2-PAK-7
-元件標號IRFS7534-7P：BVDSS為60V，在25°C下的ID為240A，在VGS=10V下的最高導通電阻為1.9，在VGS=10V下的閘極電荷200，封裝D2-PAK-7
-元件標號IRFS7530：BVDSS為60V，在25°C下的ID為195A，在VGS=10V下的最高導通電阻為2.0，在VGS=10V下的閘極電荷274，封裝D2-PAK
-元件標號IRFS7534：BVDSS為60V，在25°C下的ID為195A，在VGS=10V下的最高導通電阻為2.4，在VGS=10V下的閘極電荷180，封裝D2-PAK
-元件標號IRFS7537：BVDSS為60V，在25°C下的ID為195A，在VGS=10V下的最高導通電阻為3.3，在VGS=10V下的閘極電荷142，封裝D2-PAK
-元件標號IRFS7540：BVDSS為60V，在25°C下的ID為110A，在VGS=10V下的最高導通電阻為5.1，在VGS=10V下的閘極電荷88，封裝D2-PAK
產品現正接受批量訂單。數據資料及Spice模型已於IR的網站http://www.irf.com提供。
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC及其他先進功\率管理元件可用來驅動高效能運算，且為廣泛的商業和消費者應用節省能源 。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功\率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站www.irf.com。
商標
StrongIRFET為美商國際整流器公司的商標；IR為美商國際整流器公司的註冊商標。所有其他的產品名稱可能與其相關持有人擁有的商標名稱相同。 - 新聞稿有效日期，至2014/05/24為止
聯絡人 ：殷嘉霙
聯絡電話：02-25772100 ext. 830
電子郵件：joannecy.yn@eraogilvy.com
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