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產業動態 新思科技數位與客製化解決方案獲台積電N16製程認證
頤德國際公關公司 本新聞稿發佈於2014/06/12,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

設計人員得以在FinFET製程技術上實現功耗、效能及面積的優勢 客製化解決方案包括HSPICE®電路模擬、搭配CustomSim™和FineSim®工具的FastSPICE模擬、NanoTime的靜態時序分析,以及利用Laker®解決方案達成客製化實作的需求(custom implementation)。

 
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(台北訊) 全球晶片設計及電子系統軟體暨IP領導廠商新思科技(Synopsys)今日宣布針對台積電N16 FinFET製程(process),推出以元件(cell-based)為基礎和客製化實作(custom
implementation)的V1.0認證解決方案,能藉由已可量產(production-ready) 的FinFET設計自
動化工具,達成可預期的設計收斂(design closure),該解決方案能協助半導體設計人員設計
出更快速、更具功耗效率且密度更高的晶片。關於新思科技FinFET解決方案的詳細資訊,請參考www.synopsys.com/finfet.

台積電設計建構行銷處資深處長Suk Lee 表示:「藉由創新來實現最佳的新製程技術,一直是台積電與新思科技長期合作的重點。而為了因應3D電晶體的複雜性(complexity),我們提前布局並擴大與新思科技的合作,以發揮FinFET技術的價值。有了通過台積電認證設計自動化工具,雙方的客戶便可充分利用FinFET技術。」

新思科技設計事業群產品行銷副總裁Bijan Kiani表示:「針對N16 FinFET製程開發的Galaxy 設計平台V1.0認證是台積電與新思科技在創新技術上合作的成果。我們與台積電以及許多共同客戶一起合作,開發出完整、有效率以及經過驗證的流程(flow),讓設計人員能充分利用FinFET技術,開發出最先進的設計。」

關於台積電N16 V1.0認證解決方案
新思科技Galaxy™設計平台提供支援台積電16奈米FinFET製程的工具與方法論,包括:

IC Compiler:先進技術支援16奈米FinFET量化規則(quantized rule)、FinFET格線 置放規則(grid rule)以及先進的優化方法論,包括PBA與 GBA時序關聯及低電壓保持時間(hold time)校正,以達最佳效能、功耗及面積。

IC Validator:利用DRC及DPT規則檢查(rule compliance check),檢驗FinFET參數,包括邊界(fin boundary)規則和expanding dummy cells。

PrimeTime:先進波形傳播(waveform-propagation)的延遲計算(delay calculation),提供FinFET製程所需的絕佳STA簽核(signoff)正確性。

StarRC:首創使用FinFET「實際剖繪資訊(real profile)」,為正確的電晶體層級(transistor-level)分析,提供最準確的MEOL(middle-end-of-line) 寄生元件參數擷取(parasitic extraction)。

HSPICE、 CustomSim 和FineSim:針對最新FinFET設計進行的FinFET裝置建模(device modeling)及精確電路模擬。此外,CustomSim具備新的電子遷移效應(electromigration)和IR電壓降(IR-drop)分析。

Laker:支援複雜的FinFET鄰接規則(abutment rules)、雙重曝光(double-patterning)、MEOL中段層和其他先進節點的設計要求。

- 新聞稿有效日期,至2014/07/13為止


聯絡人 :Scarly
聯絡電話:02-27043024分機141
電子郵件:Scarly@veda.com.tw

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