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產業動態 IR為工業應用推出極低導通電阻DirectFET MOSFET系列
世紀奧美公關 本新聞稿發佈於2014/06/18,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出大型罐DirectFET MOSFET系列,適用於要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的高功率直流馬達、直流/交流逆變器等工業應用,以及動態ORing熱插拔和電子保險絲等高電流開關應用。

 
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全新7mm x 9mm x 0.7mm大型罐封裝元件提供卓越的導通電阻效能,從而實現較低的導通損耗及更理想的系統效率。這款大型罐產品與中、小罐型DirectFET元件相似,備有雙面散熱功能,可提供最佳傳熱效能和功率密度。DirectFET還提供最佳的裸片對佔位面積比,有效縮減電路板尺寸。加上0.7mm的超薄厚度,新元件為受空間限制的高功率工業電源設計提供理想的解決方案。

與DirectFET系列的其他元件一樣,全新工業用大型罐封裝元件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。此外,DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求,例如完全不含鉛的物料清單,可迎合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了含鉛上片,雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限,但豁免將於2016年到期。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「DirectFET系列新增大型罐封裝元件後,繼續領導業界作為市場上最可靠、最高效的MOSFET封裝產品之一。全新大型罐DirectFET系列的佔位面積比D2PAK等傳統的大型塑膠表面黏著功率封裝顯著減小,而且增加了上方散熱效能,因而非常適合受空間限制的長壽工業電源設計。」

全新40V到150V大型罐封裝元件符合工業級標準及第一級濕度敏感度 (MSL1)。
規格
-元件編號IRF7739L1TRPBF,Vdss為40,在10V下的最高導通電阻為1.0 mΩ,Id (A)為270,Qg (nc)為220,品質水平為工業級。
-元件編號IRF7749L1TRPBF,Vdss為60,在10V下的最高導通電阻為1.5 mΩ,Id (A)為200,Qg (nc)為200,品質水平為工業級。
-元件編號IRF7748L1TRPBF,Vdss為60,在10V下的最高導通電阻為2.2 mΩ,Id (A)為138,Qg (nc)為148,品質水平為工業級。
-元件編號IRF7759L2TRPBF,Vdss為75,在10V下的最高導通電阻為2.3 mΩ,Id (A)為160,Qg (nc)為200,品質水平為工業級。
-元件編號IRF7769L1TRPBF,Vdss為100,在10V下的最高導通電阻為3.5 mΩ,Id (A)為124,Qg (nc)為200,品質水平為工業級。
-元件編號IRF7779L2TRPBF,Vdss為150,在10V下的最高導通電阻為11 mΩ,Id (A)為67,Qg (nc)為97,品質水平為工業級。

產品現正接受批量訂單。數據資料及MOSFET產品選擇工具已於IR的網站http://www.irf.com提供。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)

國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算,且為廣泛的商業和消費者應用節省能源 。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

商標

IR及DirectFET為美商國際整流器公司的註冊商標。所有其他的產品名稱可能與其相關持有人擁有的商標名稱相同。

- 新聞稿有效日期,至2014/07/19為止


聯絡人 :殷嘉霙
聯絡電話:02-25772100 ext. 830
電子郵件:joannecy.yn@eraogilvy.com

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