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產業動態 中芯國際採用ARM Physical IP之低耗電與高效能設計
era 本新聞稿發佈於2006/05/30,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

透過ARM網站即可免費取得ARM在中芯90奈米製程上的Physical IP技術 全球晶圓代工領導廠商中芯國際集成電路製造有限公司與ARM共同宣佈,中芯國際的90奈米LL (低漏電) 與G (主流) 製程,已採用隸屬於Artisan Physical IP之ARM Metro™ 低耗電/高密度及Advantage™ 高效能產品。

 
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全球晶圓代工領導廠商中芯國際集成電路製造有限公司與ARM共同宣佈,中芯國際的90奈米LL (低漏電) 與G (主流) 製程,已採用隸屬於Artisan Physical IP之ARM Metro™ 低耗電/高密度及Advantage™ 高效能產品。雙方達成的協議進一步擴展彼此間之合作,透過ARM網站免費提供解決方案,協助業者開發尖端設計與解決方案。

中芯國際設計服務部門副總裁Paul Ouyang表示:「延續與ARM之間的合作,使我們能夠提供一項更完備的生產藍圖,包括為客戶提供ARM高品質並且經過晶片驗證過的Physical IP 。與ARM的合作,讓顧客能運用中芯國際的90奈米製程,同時採用ARM Metro與Advantage系列產品,協助客戶縮短設計時間、降低風險、並加快產品上市時程。」

ARM Metro低耗電/高密度IP是專為可攜式電子裝置所設計;而Advantage 除了低耗電之表現外,更提供高速之運作效能,滿足消費性、通訊、以及網路市場中各種應用的需求。Metro與Advantage系列產品都含有ARM的standard cell 以及多種記憶體編譯器。Metro standard cell包括電源管理套件,支援各種動態與漏電功耗節省技術,例如像時脈控制閘、多重電壓模式、以及功耗控制閘。Metro記憶體編譯器提供類似的先進功耗節省功能。

Metro與Advantage系列IP包括ARM陣容完整的設計檢視與開發模組,能整合許多業界主流電子設計自動化(EDA)工具。這些檢視方案針對Metro與Advantage產品提供功能、時序、以及功耗等方面的資訊,藉以涵蓋各種運作條件,讓研發業者能建置複雜的耗電率管理系統,在其SoC中主動控制動態與漏電功耗。

ARM Physical IP行銷副總裁Neal Carney表示:「中芯國際的先進技術發展藍圖持續為顧客提供各種建置解決方案,滿足業者對現今SoC設計的需求。中芯國際在採用ARM之Metro與Advantage系列產品,提供客戶獲得針對消費性、通訊協定、以及網路應用推出最佳化的Physical IP解決方案。」

供應時程
ARM Metro與Advantage IP設計檢視方案將在2006年第四季開放讓授權,透過ARM網站供免費下載使用。初期Front End設計檢視方案,讓客戶能提早開始設計與模擬作業,預定在2006年第二季底推出。

關於ARM(安謀國際科技股份有限公司)

ARM的先進技術為市面上各種先進數位產品的重要核心,其應用領域範圍廣闊,包括無線通訊、網路、消費性娛樂、影像、汽車、安全及儲存等領域。ARM的完整產品線包括16/32位元RISC微處理器、資料引擎、3D處理器、數位資料庫、嵌入式記憶體、週邊設備、軟體及開發工具。結合陣容龐大的合作夥伴社群,為客戶提供完整、快速及可信賴的解決方案。如需更多有關ARM的資訊,敬請瀏覽該公司網站http://www.arm.com。

新聞聯絡人:
廿一世紀公關顧問
賀啟年/陳冠宇/劉 怡
電話:(02) 25772100 # 813、804、803
傳真:(02) 2577-1600
E-mail:nancycn.ho@erapr.com
kevin.chen@erapr.com
kay.liu@erapr.com

- 新聞稿有效日期,至2006/06/30為止


聯絡人 :Jessie
聯絡電話:25772100
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