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產業動態 IR為DC-DC降壓轉換器設計新型30V DirectFET MOSFET晶片組減少佔位面積50%
era 本新聞稿發佈於2006/07/24,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出由IRF6631控制MOSFET及IRF6638同步MOSFET組成的全新30V同步降壓轉換器晶片組。這個組合備有IR的基準DirectFET封裝及雙面冷卻功能,並具備最新的HEXFET MOSFET技術,能在中電流水平 (低於18安培) 達致高效率及散熱效能。

 
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出由IRF6631控制MOSFET及IRF6638同步MOSFET組成的全新30V同步降壓轉換器晶片組。這個組合備有IR的基準DirectFET封裝及雙面冷卻功能,並具備最新的HEXFET MOSFET技術,能在中電流水平 (低於18安培) 達致高效率及散熱效能。應用包括先進的筆記簿型和桌上型電腦,電訊及數據通訊,以至透過小面積、高效率及改善了的導熱效能來提升功率密度的通用同步降壓設計。

IR台灣分公司總經理朱文義表示:「全新的DirectFET晶片組,是希望為中間範圍15至18安培功率轉換器應用,尋找十分簡潔兼具切換效率元件之設計人員的極佳選擇。除了在5至8 安培範圍內提升效率逾1%,該晶片組也比採用3夥SO-8元件的傳統方式節省佔位面積差不多達50%。」

每項元件皆為實現其在DC-DC降壓轉換器電路上的表現最佳化而設計。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低交換損耗,而IRF6638 DirectFET同步MOSFET則能滅少傳導損耗及逆向修復電荷。

IRF6631控制FET的閘電荷為12nC,電阻閘電荷 (99.6 mOhmsnC) 優值亦比先前的產品少16%。IRF6638同步FET在4.5V提供3.0mOhms的典型通態電阻,比現有元件減少12%,但仍能維持同一閘電荷。產品基本規格如下:
元件
編號 封裝 BVDSS
(V) 在10.0V以下最大RDS(on) (mOhm) 在4.5V以下最大RDS(on) (mOhm) VGS (V) 在攝氏25度的Id (A) 典型QG (nC) 典型QGD
(nC)
IRF6638 DirectFET
Medium Can 30 2.9 3.9 20 140 30 11
IRF6631 DirectFET
Small Can 30 7.8 10.8 20 57 12 4.4

IR已獲專利的DirectFET MOSFET封裝,具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設計優點。它們的金屬容器結構可提供雙面冷卻功能,把用於驅動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力,有效增加一倍。此外,DirectFET封裝內的元件皆符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。

IRF6631 及IRF6638 DirectFET MOSFET現已供貨,全部元件皆符合RoHS。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件,可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

新聞聯絡人:
美商國際整流器亞太區總部
亞太區市場傳訊總監 黃慧敏
Tel: +852-21957210
Fax: +852-25405835
E-Mail: wwong1@irf.com
香港商廿一世紀公關顧問股份有限公司
台灣分公司
唐毅倫/ 劉怡 / 徐可欣
Tel: (02) 2577-2100 Ext. 802 / 803 / 515
Fax: (02) 2577-1600
E-Mail: ellen.tang@erapr.com
kay.liu@erapr.com
kate.hsu@erapr.com
美商國際整流器台灣分公司
總經理 朱文義
Tel: (02) 2709-8356 Ext. 101
Fax: (02) 2709-8150
E-Mail: rchu1@irf.com

- 新聞稿有效日期,至2006/08/24為止


聯絡人 :Jessie
聯絡電話:25772100
電子郵件:jessieyc.chen@erapr.com

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