CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET MOSFET 可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率，同時在電腦伺服器和電信應用中確保安全的運作。例如：25 V CSD16570Q5B 支援 0.59 mΩ的最大Rdson，而 30 V CSD17570Q5B 則實現了 0.69 mΩ的最大Rdson。請閱讀一篇部落格，題為「針對採用熱插拔和ORing FET 控制器設計的功率 MOSFET 安全工作區 (SOA) 曲線」。下載一款採用 TI CSD17570Q5B NexFET的12 V、60 A 熱插拔參考設計。

TI 的新型 CSD17573Q5B 和 CSD17577Q5A 可與針對 DC/DC 控制器應用的LM27403搭配使用，以構成一款完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率 MOSFET 則可與諸如TPS24720等 TI 熱插拔控制器配套使用。請下載應用筆記「穩固的熱插拔設計」，瞭解如何將一個電晶體選用為傳輸元件，以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。

新型NexFET產品及主要特點

裝置型號 應用 Vds/Vgs 封裝 (公釐) Rdson最大值 (mΩ) Qg (4.5) (nC)
4.5V 10V
CSD16570Q5B ORing / 熱插拔 25/20 QFN 5x6 (Q5B) 0.82 0.59 95
CSD17570Q5B 30/20 0.92 0.69 93
CSD17573Q5B 低端降壓 / ORing / 熱插拔 30/20 QFN 5x6 (Q5B) 1.45 1.0 49
CSD17575Q3 低端降壓 30/20 QFN 3.3x3.3 (Q3) 3.2 2.3 23
CSD17576Q5B QFN 5x6 (Q5B) 2.9 2.0 25
CSD17577Q5A 高端降壓 30/20 QFN 5x6 (Q5A) 5.8 4.2 13
CSD17577Q3A QFN 3.3x3.3 (Q3A) 6.4 4.8 13
CSD17578Q3A 9.4 7.3 7.9
CSD17579Q3A 14.2 10.2 5.3
CSD85301Q2 雙路獨立 FET 20/10 QFN 2x2 (Q2) 27 不適用 4.2
CSD13383F4 負載開關 12/10 FemtoFET 0.6x1.0 (0402) 44 不適用 2.0

供貨情況、封裝和價格
FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產品可透過 TI 及其授權販售商批量採購，前者建議售價為每一千顆美金 0.10 元，後兩者的建議售價為每一千顆美金 1.08 元。

關於 TI 的NexFET功率 MOSFET
TI 的NexFET功率 MOSFET 改善了高功率計算、網路、工業和電源應用中的能源效率。此類高頻、高效率的類比功率 MOSFET 讓系統設計人員能夠運用現有最先進的 DC/DC 電源轉換解決方案。

取得有關 TI 電源管理產品系列的更多詳情：
• 下載 NexFET 功率 MOSFET 選擇指南；
• 採用 TI 的 WEBENCH Power Designer 線上設計一個完整的電源管理系統；
• 透過TI E2E™ 社群的NexFET功率 MOSFET 論壇搜尋解決方案、獲得幫助並分享知識；
• 從TI Designs 參考設計庫下載電源參考設計；
• 透過 Facebook 與 TI 即時互動：www.facebook.com/texasinstrumentsTW；
• 透過 Twitter 與 TI 即時互動：twitter.com/TXInstrumentsTW；
• 透過 Google + 與TI即時互動：plus.google.com/+TexasInstruments。

- 新聞稿有效日期，至2015/02/22為止

上一篇：萬達院線22日深市掛牌上市
下一篇：資策會「策略與KPI導向之預算管理」(台北3/25)