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產業動態 華虹半導體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產
亞太商訊 本新聞稿發佈於2015/04/21,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

香港, 2015年4月22日 - (亞太商訊) - 全球領先的200mm純晶圓代工廠── 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」,股份代號:1347)今日宣佈,其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平台已經成功實現量產,良率超過98%,達到國際一流水平。

 
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香港, 2015年4月22日 - (亞太商訊) - 全球領先的200mm純晶圓代工廠── 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」,股份代號:1347)今日宣佈,其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平台已經成功實現量產,良率超過98%,達到國際一流水平。該工藝平台主要針對諸如AC-DC轉換器和LED照明等綠色能源的應用,具有業內領先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片週期短等特點,可為客戶提供極具競爭力的單晶片解決方案。目前,已有多家客戶在該平台量產,各項指標均達到或超過客戶要求。

在全球節能環保的大趨勢下,LED綠色照明已經進入快速發展期。據相關機構統計,LED照明集成電路市場預期將由2013年的7億美元增至2020年的15 億美元,年複合增長率為11.8%。尤其是,中國LED照明的市場滲透率目前僅20%-30%,可見未來市場規模巨大。華虹半導體新一代0.5微米700V BCD工藝是基於2013年第一代1微米700V BCD工藝升級開發而成,在保持原有1P1M(1層Poly,1層Metal)最少版次12塊的低成本優勢基礎上,進一步整合7.5V CMOS和20V/40V的中壓LDMOS以及高壓200V/300V/400V/500V/600V/650V/700V的功率LDMOS,豐富了超高壓電壓系列選擇,以滿足不同電壓應用需求。該解決方案可為啟動電路提供差異化的結型場效應管(JFET)及高壓電阻器件,還可提供雙極器件晶體管(VPNP/LNPN)、高精度電阻和電容、低溫度係數齊納二極管等豐富的可選器件,極大地方便客戶設計開發使用。同時該工藝解決方案優化了高壓器件模組的設計規則,特別針對超高壓器件特徵導通電阻進行改良,其核心的700V DMOS器件特徵導通電阻達到國際領先水平。

華虹半導體憑藉經驗豐富的IP設計和測試團隊,能夠向客戶提供多種高壓功率模組IP,並且可完全根據客戶需求調整定製IP,從而降低客戶設計難度和成本,縮短產品開發時間,幫助客戶快速佔領市場先機。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:「華虹半導體超高壓700V BCD技術迎合了節能環保熱點,此工藝平台所支持的高壓小電流LED 照明驅動應用市場發展前景十分廣闊。我們將繼續增強應用於LED照明的先進差異化工藝技術組合,製造高性能、低成本的LED驅動IC。展望未來,我們將拓展先進的電源管理平台,為客戶提供一整套具成本效益的解決方案。」

- 新聞稿有效日期,至2015/05/22為止


聯絡人 :劉 穎
聯絡電話:81-3-5791-1818
電子郵件:tiaraliu@acnnewswire.com

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