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產業動態 安森美半導體推出全系列雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器
采杰公關 本新聞稿發佈於2015/05/28,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號: ON),推出一系列新的高性能器件,進一步加強了低壓降(LDO)線性穩壓器產品陣容,以支援雙倍數據速率(DDR)記憶體。

 
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推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號: ON),推出一系列新的高性能器件,進一步加強了低壓降(LDO)線性穩壓器產品陣容,以支援雙倍數據速率(DDR)記憶體。NCP51200、 NCP51400、 NCP51510和NCP51199採用內建功率MOSFET,針對在電腦、資料網路、工業和手持消費市場等廣泛應用中的特定應用如SDRAM DIMM記憶體、伺服器、路由器、智慧手機、平板電腦平台、機上盒、智慧電視、印表機和個人電腦/筆記型電腦主機板。還提供經AEC-Q100認證的版本用於汽車應用如嵌入式GPS定位系統、資訊娛樂和無線網路及藍牙通信。

這些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 標準,終端電壓(VTT)低至500毫伏(mV)。當與DDR4和LPDDR4使用時,每一種的主動源電流和汲電流能力達2安培(A)。此外,當使用DDR4 和LPDDR4時,NCP51145可支援高達1.2 A。NCP/NCV51199可為DDR2和DDR3分別提供2 A和1.5 A源汲電流,而NCP51200和NCP51510指定運行於3 A峰值電流並支援遠端感測。這些高度整合的DDR終端LDO的優勢還包括平穩啟動、晶載熱關閉和(對一些器件) 欠壓鎖定機制。每款器件都有高速微分放大器,對線性電壓和負載電流瞬變提供超快回應。所有這些器件還都相容DDR1 和DDR2 ,易於升級到更新的DDR記憶體。工作溫度範圍指定為 -40 °C 至 +125 °C,汽車版本可擴展至+150 °C。

安森美半導體積體電路產品副總裁Simon Keeton說:「DDR記憶體廣泛擴展至許多非傳統產品如連接和物聯網(IoT)促使數據傳輸增強。我們目前為整個DDR市場提供全面的變革器件,適用於新的設計專案,以及直接替代現有器件;但具更高性能以支援將來記憶體的升級。NCP51400和NCP51510是很高階的積體電路(IC),能支援下一代DDR技術,而NCP51145結合卓越的性能及具吸引力的價格。此外,我們提供通過汽車認證(AEC-Q100)的版本,使最新的資訊娛樂和安全系統能跟上新車客戶期望的資料要求。」

封裝和定價
擴展了的15個NCP51xxx LDO 方案提供3 種不同的封裝,包括8-pin的SOIC-EP、8-pin2x2 mm的DFN、和10-pin3x3 mm的DFN封裝。每3,000片批量的單價範圍從0.07美元至0.195美元。

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力於推動高能效電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先於供應基於半導體的方案,提供全面的高能效電源和信號管理、邏輯、標準及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、醫療及軍事/航空應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目,及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多資訊請查看:http://www.onsemi.com

• 在Twitter上關注@onsemi:twitter.com/onsemi

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安森美半導體和安森美半導體圖標是Semiconductor Components Industries, LLC的註冊商標。所有本文中出現的其它品牌和產品名稱分別為其相應持有人的註冊商標或商標。雖然公司在本新聞稿提及其網站,但此稿並不包含其網站中有關的資訊。

- 新聞稿有效日期,至2015/06/28為止


聯絡人 :林祖祺
聯絡電話:02-8773-4277
電子郵件:aki_lin@accesspr.com.tw

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