IR嶄新200V DirectFET MOSFET提供高達95%效率
並大幅節省佔位面積 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，以IR的基準DirectFET封裝技術配合IR最新的200V HEXFET MOSFET矽技術，達致95%的效率。
IR新推出的200V DirectFET元件，乃為於36V至75V通用輸入範圍操作的隔離式DC-DC轉換器而設計。超低的51 mOhm典型10V 通態電阻RDS(on) 及減少了的閘電荷，使新元件特別適合作為推動高電流負載的高頻率、高效率DC-DC轉換器；新一代中轉母線轉換器；DC馬達驅動器，以至為風力渦輸轉換功率的48V反相器的高效同步整流MOSFET。在48V通用輸入電壓範圍內運作的電腦及電訊伺服器，其高電流AC-DC轉換器亦適合採用新元件進行同步整流。 IR台灣分公司總經理朱文義表示：「我們最新的200V DirectFET MOSFET之電流額定值達到25安培，但面積僅與SO-8封裝0.7毫米產品相若，同時也能把閘電荷和封裝電感減至最低，從而減少傳導和交換損耗。單是一顆DirectFET MOSET，便能較兩或三顆SO-8元件節省超過50%的空間。」
IR的新元件在計多應用上都能提供卓越的表現。假如把IRF6641TRPbF的原件電路效率，與其他在第同步整流插座之加強SO-8元件相比，當每個插座所使用加強SO-8元件的數目相同，新DirectFET元件能提供0.4%的效率改進。此外，當每個插座有雙倍的加強SO-8元件，IR的新元件亦能提供同樣的7安培、全負載效率。在這項分析研究中，MOSFET的溫度，以每個插座採用兩顆IRF6641TRPbF元件的電路為最低。 新元件擁有共同MZ 位位面積，方便在現存電流有所提升，亦可接受電壓的應用中，遷移至其他中電壓DirectFET MOSET，包括較低電壓的100VIRF6662元件。
全新IRF6641TRPbF DirectFET MOSET現已供貨，基本規格如下： 產品編號:IRF6641TRPbF
封裝:DirectFET
BVDSS(V):200
在10V以下最大RDS(on) (mOhm):59.9
在10V以下典型RDS(on) (mOhm):51
VGS (V):20
在攝氏25度下的ID(A):26
典型QG (nC):34
典型QGD(nC):9.5
IR已獲專利的DirectFET MOSFET封裝，具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設計優點。它們的金屬容器結構可提供雙面冷卻功能，把
用於驅動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力，有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內的元件皆符合電子產品有害物質管 制規定 (RoHS)。 關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可 用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、 衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。 新聞聯絡人： 美商國際整流器亞太區總部
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