回到首頁
個人.家庭.數位化 - 數位之牆



產業動態 華虹半導體最新推出0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平台
亞太商訊 本新聞稿發佈於2015/06/11,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

香港, 2015年6月12日 - (亞太商訊) - 全球領先的200mm純晶圓代工廠 ── 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」,股份代號:1347)今日宣佈,最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平台。

 
■ 發布/輪播新聞稿 新聞稿直達14萬電子報訂戶刊登新聞稿:按此 想在你的Blog上輪播產業動態按此
 


助力物聯網MCU解決方案


香港, 2015年6月12日 - (亞太商訊) - 全球領先的200mm純晶圓代工廠 ── 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」,股份代號:1347)今日宣佈,最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平台。該工藝平台作為華虹半導體0.18微米超低漏電技術的延續,可為客戶提供一個完美兼具高性能、低功耗、低成本優勢於一身的差異化解決方案。

新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平台支持低至於1.08伏的操作電壓,小於0.2pA/μm的超低漏電。該平台的存儲器IP具有10萬至50萬次擦寫次數、讀取速度達20ns等獨特優勢,尤其是,該技術的動態功耗達25uA/MHz,靜態功耗達50nA,可大幅提升電池壽命,延長時下最熱門的物聯網及可穿戴式設備的待機時間。該平台亦具有邏輯單元集成度高,包含電源管理單元等特點,門密度達到300K gate/mm2以上,能夠幫助客戶進一步縮小芯片面積。

該工藝平台的最大特點是可在同一工藝中集成射頻(RF)、eFlash和EEPROM,24層光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC(System-on-a-Chip)芯片,具備更小的面積、更低的功耗和更強的可靠性等顯著優勢,並降低設計、製造和測試成本。該工藝平台擁有豐富多樣的嵌入式存儲器IP,同時也提供高密度存儲器編輯器(Memory Complier)和標準單元庫,可為客戶度身訂制性價比優越、全面靈活的解決方案,加速客戶產品上市時間。

基於該工藝平台生產的低功耗微控制器(MCU)主要適用于各種智慧節能型產品,例如物聯網、可穿戴式設備、智能電網、嵌入式智能互聯設備、醫療電子、照明,以及工業和汽車電子等方面的應用。

「0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平台成功集成了超低功耗的數模混合技術、嵌入式存儲技術及低成本的CMOS射頻技術,繼而大幅提升客戶產品的市場競爭力。」華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示,「與微控制器相輔相成的物聯網市場規模預期將由2013年的 250億美元增至2020年的602億美元。我們面向物聯網,成功推出0.11微米超低漏電嵌技術,進一步擴大了豐富多樣的低功耗嵌入式存儲器工藝平台組合,充分滿足多元化市場需求。」

- 新聞稿有效日期,至2015/07/12為止


聯絡人 :劉 穎
聯絡電話:81-3-5791-1818
電子郵件:tiaraliu@acnnewswire.com

上一篇:百萬年薪!學承電腦雲端人才超搶手
下一篇:資策會「產品研發專案管理實務班」(台北7/4)

 
搜尋本站


最新科技評論

共享經濟:以人民的名義爭奪流量入口 - 2017/06/18

影音網站的未來(三) PGC孵化IP,直播更接近長尾 - 2016/10/16

影音網站的未來(二)短影音適合往社交和工具發展 - 2016/10/09

影音網站的未來(一)長尾效應與頭部效應無法兼顧 - 2016/10/02

大部分O2O 模式違反網際網路經濟特性 - 2015/02/08

融資是怎麼回事(下)什麼人能拿到投資 - 2015/01/04

融資是怎麼回事(中)讀懂投資人的唇語 - 2014/12/21

融資是怎麼回事(上)融資是迭代的過程 - 2014/12/14

奢品服務業O2O 興起,網際網路創業者的新機會 - 2014/07/20

■ 訂閱每日更新產業動態
RSS
RSS

當月產業動態

Information

 

 

 

 




個人.家庭.數位化 - 數位之牆

欲引用本站圖文,請先取得授權。本站保留一切權利 ©Copyright 2008, DigitalWall.COM. All Rights Reserved.
Question ? Please mail to service@digitalwall.com

歡迎與本站連結!