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香港, 2017年12月27日 - (亞太商訊) - 全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司 (「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱「集團」，股份代號：1347.HK) 今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存（90nm G2 eFlash）工藝平台已成功實現量產，技術實力和競爭力再度加強。 華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術積累的基礎上，於90nm G2 eFlash工藝平台實現了多方面的技術提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸。此外，90nm G2採用了新的Flash IP設計架構，在保證高可靠性 (即10萬次擦寫及25年數據保持能力) 的同時，提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數量，尤其對於具有高容量eFlash的芯片產品，90nm G2 eFlash的面積優勢更為顯著。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩，使得製造成本更低。 目前，90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產，成功用於大規模生產電信卡芯片，並將為智能卡芯片、安全芯片產品以及MCU等多元化產品提供更具性價比的芯片製造技術解決方案。 華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：「第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產，標誌著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲器技術是我們的戰略重點之一，長期以來憑藉著高安全性、高穩定性、高性價比以及技術先進性在業界廣受認可。作為全球領先的智能卡IC代工廠，華虹半導體將堅持深耕，不斷優化工藝，升級平台，持續領航智能IC卡代工領域，並大力發力物聯網、新能源汽車等高增長新興市場。」
- 新聞稿有效日期，至2018/01/27為止
聯絡人 ：劉 穎
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