太陽能逆變器（inverter）、不斷電系統（uninterruptable power supply；UPS）逆變級和工業變頻驅動器（variable frequency drive；VFD）等應用中的功率級通常由離散（discrete）的IGBT／MOSFET整合專用驅動器和額外離散元件構成。安森美半導體全新NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率整合模組（PIM）提供緊湊、高度整合的方案，採用易於貼裝（mountable）的封裝，節省空間與降低成本，極大化地減輕設計人員的挑戰。

這些元件採用Q1和Q2封裝，用於30 KW和50 KW逆變器，整合場截止（field stop）溝槽式（trench）IGBT和快速恢復二極體，提供更低的傳導（conduction）和開關損耗，並使設計人員能夠在低VCE（SAT）和低EON / EOFF損耗間折衷，以充分最佳化電路性能。直接覆銅（direct bond copper；DBC）基底（substrate）支援大電流，最大限度地降低寄生電感（parasitic inductances）的影響，使設計人員實現高開關速度，以及以12.7 mm的爬電距離（creepage distance）提供3000 Vrms的隔離電壓。

此外，安森美半導體亦推出全新充分最佳化、超緊湊的智能功率級（smart power stage；SPS）多晶片模組FDMF3170，用於伺服器、資料中心、人工智慧加速器和電信設備中的DC-DC 降壓轉換器。其整合兩個基於安森美半導體PowerTrench®技術的高性能功率MOSFET，與一個具高精準電流感測器的智能驅動器以實現最佳處理器性能。

Electronica展會上的電源轉換和馬達控制技術展示

這兩個全新功率模組將於Electronica展會期間在安森美半導體展台展示，突顯基於半導體的高能效方案對於開發成功的電源轉換和馬達控制（PCMC）設計關鍵重要。展台展示將重點展現安森美半導體的方案在工業電源、太陽能和馬達驅動器開創領先地位，並將包含一個機器人展示與太陽能和電池儲能裝置。

安森美半導體提供最廣泛的電源半導體元件產品組合，採用創新的封裝格式，支援全球邁向更潔淨、高可靠性和具成本效益的能源設計。該產品組合包含基於先進寬能隙（wide bandgap ；WBG）材料的元件、用於所有馬達類型的MOSFET、IGBT、PIM和IPM以及全整合的驅動器。這些元件共同顯著提高現代應用所需的高能效、可靠、緊湊和低成本的電源方案，持續推動能源革命。

- 新聞稿有效日期，至2018/12/30為止

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