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產業動態 Microchip宣佈推出全新碳化矽產品,開啟可靠的高壓電力設備
采杰公關 本新聞稿發佈於2019/05/21,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

Microchip Technology Inc. 透過其子公司Microsemi(美高森美)宣佈推出一系列SiC功率元件。該系列元件具有良好的耐用性,以及寬能隙(wide-bandgap)半導體技術優勢。

 
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汽車、工業、太空和國防領域越來越需要能提升系統效率、穩健性和高功率密度的SiC功率產品。今日,Microchip Technology Inc. 透過其子公司Microsemi(美高森美)宣佈推出一系列SiC功率元件。該系列元件具有良好的耐用性,以及寬能隙(wide-bandgap)半導體技術優勢。它們將與Microchip各類微控制器和類比解決方案形成產品的互補優勢,加入Microchip不斷壯大的SiC產品組合,滿足了電動汽車和其它大功率應用領域迅速發展的市場需求。

Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V SiC 蕭特基二極體 (SBD) 將加入公司現有的SiC功率模組產品系列。該系列新增的超過35款分離元件產品均已實現量產,並通過了嚴格的耐用性測試,Microchip可提供全面的開發服務、工具和參考設計支援。Microchip目前提供額定電壓、額定電流和各類包裝的SiC晶粒、分離元件和功率模組。

Microchip分離元件和功率產品管理事業部資深副總裁Rich Simoncic表示:「SiC技術的演變和應用已開始加速發展,Microchip深耕這一市場多年,一直致力於滿足全球市場對SiC產品日益增長的需求,保持全球領先的位置。我們的SiC產品系列由多款可靠的產品所組成,並提供強大的基礎架構和供應鏈支援,以滿足客戶執行和擴充產品開發計畫的需求。」

Microchip的SiC MOSFET和SBD 在更高頻率下提供更高效率的切換操作,並通過各級別的耐用性測試,這對於保障產品的長期可靠性至關重要。電感性切換(UIS)耐用性測試(該項測試旨在衡量崩潰情形下,即電壓峰值超過元件的擊穿電壓(breakdown voltage),元件的退化和提早失效性能表明,Microchip SiC SBD性能比其他SiC二極體高出20%左右。另外,Microchip的SiC MOSFET在效能方面同樣優於同類產品,其具有良好的柵氧化層防護能力和通道完整性,即使在經歷10萬次重複電感性切換測試 (RUIS) 後,其參數仍能維持在正常水準。

Microchip是全球僅有的能同時提供矽和SiC分離元件/模組解決方案的供應商之一。該公司的產品,包括外部充電站、車內充電器、直流-直流轉換器和動力系統/動力總成控制解決方案等,特別適合於滿足電動汽車系統日益增多的需求。該SiC元件將採用Microchip的客戶為導向的產品淘汰機制,Microchip將根據客戶需求來決定是否繼續生產此類產品。

供貨
Microchip將為該SiC產品組合提供一系列支援,例如各類SiC SPICE模組、SiC驅動板參考設計和一套功率因數修正(PFC)Vienna整流器的參考設計等。Microchip的所有SiC產品及其相關配件均已實現量產。另外,還有針對SiC MOSFET和SiC二極體制定的各種晶粒和包裝方案,可供客戶選擇。

如欲瞭解定價等更多資訊,請聯繫Microchip的業務代表或全球授權經銷商,或瀏覽Microsemi(美高森美)的SiC產品網站。如欲購買上述產品,請聯繫Microchip的授權經銷商。

- 新聞稿有效日期,至2019/06/20為止


聯絡人 :周允中
聯絡電話:02-23661899
電子郵件:thomas_chou@accesspr.com.tw

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