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產業動態 華虹半導體第三代90納米嵌入式閃存工藝平台成功量產
亞太商訊 本新聞稿發佈於2019/06/26,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

香港, 2019年6月27日 - (亞太商訊) - 全球領先的特色工藝純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,股份代號:1347.HK)宣布其第三代90納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平台已成功實現量產。

 
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香港, 2019年6月27日 - (亞太商訊) - 全球領先的特色工藝純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,股份代號:1347.HK)宣布其第三代90納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平台已成功實現量產。

華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發性存儲器技術領域,通過不斷的技術創新,第三代90納米嵌入式閃存工藝平台的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%,再創全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸紀錄。Flash IP具有更明顯的面積優勢,使得芯片整體面積進一步減小,從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數量。與此同時,光罩層數也隨之進一步減少,有效縮短了流片週期。而可靠性指標繼續保持著高水準,可達到10萬次擦寫及25年數據保持能力。近年來,華虹半導體在90納米工藝節點連續成功推出三代閃存工藝平台,在保持技術優勢的同時,不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平台的大規模穩定量產,為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及微控制器(MCU)等多元化產品提供持續穩定的支持和解決方案。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:「華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器技術的領航者,未來將繼續聚焦200mm差異化技術的研發創新,面向高密度智能卡與高端微控制器市場,同時不斷致力於在功耗和麵積方面提供顯著的優化,將200mm現有的技術優勢向300mm延伸,更好地服務國內外半導體芯片設計公司,滿足市場需求。」

關於華虹半導體有限公司
華虹半導體有限公司(「華虹半導體」,股份代號:1347.HK)是全球領先的特色工藝純晶圓代工企業,專注於嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平台,其卓越的質量管理體系亦滿足汽車電子芯片生產的嚴苛要求。華虹半導體是華虹集團的一員,而華虹集團是國家“909”工程的載體,是以集成電路製造為主業、面向全球市場、具有自主創新能力和市場競爭力的高科技產業集團。

華虹半導體在上海金橋和張江建有三座200mm晶圓廠(華虹一廠、二廠及三廠),月產能17.5萬片;同時在無錫高新技術產業開發區內在建一條月產能4萬片的300mm集成電路生產線(華虹七廠)。

如欲取得更多公司相關資料,請瀏覽:www.huahonggrace.com

- 新聞稿有效日期,至2019/07/27為止


聯絡人 :劉穎
聯絡電話:+81 3 6721 7212
電子郵件:cs@acnnewswire.com

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