富士通在過去約20年量產各種FRAM非揮發性記憶體產品，具備比EEPROM及快閃記憶體更高的讀∕寫耐用度、更快的寫入速度及更低的功耗。近幾年來，這些產品被廣泛應用於穿戴裝置、工業機器人與無人載具。

這款擁有2 Mbit密度的產品採用SPI介面，支援從1.8伏特至3.6伏特的廣泛電壓範圍，且運作耐熱度可高達攝氏125度；即使在這樣的高溫環境也能保證10兆次的讀∕寫次數，相當於EEPROM的一千萬倍，而最高運作頻率則達到50 MHz，比現有產品快1.5倍。此外，這些產品的可靠度測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到被稱為「汽車級」產品的認證標準。

此款FRAM採用業界標準8-pin SOP封裝，使其能輕鬆取代現有類似腳位的EEPROM產品。此外，也提供擁有8-pin DFN (Dual Flatpack Non-leaded) 的封裝。

富士通持續為IC卡、工業機械與消費性裝置提供資料寫入效能高於EEPROM的FRAM產品。能在最高攝氏125度環境中運作的FRAM產品自2017年起就已經量產，因此這類FRAM逐漸被廣泛用在需要在高溫下維持運作與高可靠度的汽車及工業機械市場。此次富士通研發並推出最大容量的2 Mbit產品，藉此強化可運作於高達125度的FRAM產品陣容。

富士通將持續提供各種FRAM產品與解決方案，協助客戶提升各類應用的價值與便利性。

關鍵規格
• 元件型號：MB85RS2MTY
• 容量 (組態)：2 Mbit (256K x 8位元)
• 介面：SPI (Serial Peripheral Interface)
• 運作頻率：最高50 MHz
• 運作電壓：1.8伏特 - 3.6伏特
• 運作溫度範圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度
• 讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次)
• 封裝規格：8-pin SOP與8-pin DFN
• 認證標準：符合AEC-Q100 Grade 1

詞彙與備註
註一：鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)
FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體，即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性，並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀∕寫週期的優點。富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。

相關連結
• 富士通電子網站
• FRAM產品系列網站
• MB85RS2MTY簡介網站
• MB85RS2MTY資料表 (車用)

關於香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司
(FUJITSU ELECTRONICS PACIFIC ASIA LTD, TAIWAN BRANCH)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司為富士通電子事業體系之一員，主要負責富士通電子在台灣市場半導體的銷售業務，提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。主要銷售產品包括：Customized SoC (ASIC)、代工服務、特定應用標準產品 (ASSP)、鐵電記憶體、繼電器、GaN (氮化鎵)、MCU和電源功率器件等，以獨立産品及配套解決方案的形式提供給客戶，並廣泛應用於高效能光通訊網絡設備、終端行動裝置、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電錶、安防等領域。有關詳細公司資訊，請瀏覽http://www.fujitsu.com/tw/fep/。

- 新聞稿有效日期，至2019/11/30為止

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