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產業動態 華虹半導體最新推出90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平台
亚太商讯 本新聞稿發佈於2020/08/27,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

香港, 2020年8月27日 - (亞太商訊) - 全球領先的特色工藝純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,股份代號:1347.HK)今日宣佈,最新推出90納米超低漏電(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平台,滿足大容量微控制器(MCU)的需求。

 
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助力大容量MCU解決方案

香港, 2020年8月27日 - (亞太商訊) - 全球領先的特色工藝純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,股份代號:1347.HK)今日宣佈,最新推出90納米超低漏電(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平台,滿足大容量微控制器(MCU)的需求。該工藝平台作為華虹半導體0.11微米超低漏電技術的延續,以更低的功耗和成本為客戶提供具有競爭力的差異化解決方案,適用於物聯網、可穿戴式設備、工業及汽車電子等方面的應用。

新近推出的90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平台1.5V核心N型和P型MOS晶體管漏電達到0.2pA/μm,可有效延長MCU設備的待機時間。該平台的嵌入式非易失性存儲器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)IP具有10萬至50萬次擦寫次數、讀取速度達30ns等獨特優勢。同時邏輯單元庫集成度高,達到400K gate/mm2以上,能夠幫助客戶多方面縮小芯片面積。

該工藝平台的最大優勢是集成了公司自有專利的分離柵NORD嵌入式閃存技術,在90納米工藝下擁有目前業界最小元胞尺寸和面積最小的嵌入式NOR flash IP,而且具有光罩層數少的優勢,幫助客戶進一步降低MCU、尤其是大容量MCU產品的製造成本。該平台同時支持射頻(RF)、eFlash和EEPROM。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:「公司致力於差異化技術的創新和不斷優化,為客戶提供市場急需的、成本效益高的工藝和技術服務。在精進8英寸平台的同時,加快12英寸產線的產能擴充和技術研發。物聯網、汽車電子是MCU應用的增量市場,此次90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平台的推出,進一步擴大了華虹半導體MCU客戶群在超低功耗的市場應用領域的代工選擇空間。」

關於華虹半導體
華虹半導體有限公司(「華虹半導體」,股份代號:1347.HK)(「本公司」)是全球領先的特色工藝純晶圓代工企業,特別專注於嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等特色工藝平台,其卓越的質量管理體系亦滿足汽車電子芯片生產的嚴苛要求。本公司是華虹集團的一員,而華虹集團是以集成電路製造為主業,擁有8+12英寸生產線先進工藝技術的企業集團。

本公司在上海金橋和張江建有三座8英寸晶圓廠(華虹一廠、二廠及三廠),月產能約18萬片;同時在無錫高新技術產業開發區內建有一座12英寸晶圓廠(華虹七廠),月產能規劃為4萬片。華虹七廠於2019年正式落成並邁入生產運營期,成為中國大陸領先的12英寸特色工藝生產線,也是大陸第一條12英寸功率器件代工生產線。

如欲取得更多公司相關資料,請流覽:www.huahonggrace.com

- 新聞稿有效日期,至2020/09/27為止


聯絡人 :Tiara Liu
聯絡電話:+81 3 6859 8575
電子郵件:cs@acnnewswire.com

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