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產業動態 安森美半導體宣布推出全新650 V碳化矽 (SiC) MOSFET
安森美半導體 本新聞稿發佈於2021/02/18,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

安森美半導體宣布推出全新650 V碳化矽 (SiC) MOSFET 優異的開關和更高的可靠性在各種挑戰性應用中提高功率密度

 
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推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor,美國那斯達克上市代號:ON),宣布推出一系列新的碳化矽 (SiC) MOSFET裝置,適用於對於功率密度、能效和可靠性要求極高的相關應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術,將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能。

安森美半導體新的車規AECQ101和工業級合格的650伏(V) SiC MOSFET基於一種新的寬能隙半導體,提供比矽更勝一籌的開關性能和更好的熱性能,因而提高系統級能效、功率密度,及減少電磁干擾(EMI)、系統尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計,結合先進的薄晶圓技術,可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1採用D2PAK7L和To247封裝,具有市場最低的Rdson (12 mOhm)。這技術還優化能量損失品質因數,從而優化了汽車和工業應用中的性能。內置門極電阻(Rg)為設計人員提供更大的靈活性,而無需使用外部門極電阻人為地降低裝置的速度。 更高的功率變動、雪崩能力和短路穩健性都有助於增強耐用性,從而提供更高的可靠性和更長的裝置使用壽命。

安森美半導體先進電源部門資深副總裁Asif Jakwani在發佈新品時表示:「在現代電源應用中,如電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和可再生能源、企業運算及電信等其他應用,高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰。這些新的SiC MOSFET比同等的矽開關技術顯著提高性能,使工程師能夠滿足這些具有挑戰性的設計目標。增強的性能降低損耗,從而提高能效,減少熱管理需求,並降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。」

新裝置均為表面貼裝,並提供產業標準封裝類型,包括TO247和D2PAK。

更多資訊:
寬能隙半導體方案
650 V SiC MOSFET

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國那斯達克上市代號:ON)致力於推動高效能電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商,提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片(SoC)及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案,及一套嚴謹的審查標準和道德規範計劃,在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱:http://www.onsemi.com;在 Twitter 上追蹤安森美半導體:www.twitter.com/onsemi。

- 新聞稿有效日期,至2021/03/21為止


聯絡人 :何弘勇
聯絡電話:02-6605-0988#36
電子郵件:carter.ho@infpr.com.tw

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