當前的電源產品正向著輕薄、小巧的方向發展。然而體積的縮小意味著產品集成度的提高以及散熱面積的減少。對於這個問題，一些廠商選擇使用氮化鎵功率器件來取代傳統的矽MOS，以達到提升電源轉換率的同時，縮小體積和減少散熱的目的。然而雖然氮化鎵功率器件的高頻高效優勢彌補了減少開關切換帶來的損失，但傳統輸入端整流橋的損耗是不變的，並且隨著輸出功率的增加，整流橋的功耗也會同步上升。為了解決這個問題，大聯大詮鼎基於AOS AOZ7200CI晶片推出了高效率主動式橋式整流器電源方案，可有效減低整流電路的損耗，提高功率轉換效率。

AOS（萬代半導體）是一家集設計研發、生產和全球銷售於一體的功率半導體器件供應商，公司致力於通過持續創新的技術、產品和解決方案，幫助客戶應對先進電子產品日益複雜的功率需求。本方案的核心便是採用了AOS的AOZ7200CI晶片，該晶片是一款能夠實現高效率橋式整流器控制IC，其可以取代傳統橋式整流器中的二極管，進而提升效率同時減少熱源。與市場上其他同類產品相比，AOZ7200CI具有更高的效率，尤其是在輕載模式下，器件具有的獨特控制方法可有效降低輕載損耗。

本方案為減少功率損耗提供了最簡單的途徑，借助方案，可進一步實現電源產品的小型化。經測試，在相同功率下，本方案不僅能夠提供出色的散熱能力，同時也可將產品體積縮小30~40%。

核心技術優勢：
 低工作電流（12uA），在空載損耗能有良好的表現；
 關斷時無負電流；
 高壓空載時有良好的損耗表現；
 良好的EMI性能；
 極少的周邊元件數，應用簡單與穩定。

方案規格：
 輸入電壓：90Vac ~ 264Vac；
 輸出功率：280W；
 MOSFET：600V/125m ohm；
 空載損耗：＜150mW@264Vac。

- 新聞稿有效日期，至2022/07/08為止

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