隨著人們對燈具品質的要求越來越高，傳統的LED驅動器已經無法滿足小而薄的燈具設計。並且由於LED需要長期在狹小空間內工作，因此散熱性也是一個嚴重制約應用安全的問題。在這種情況下，將高頻高效的氮化鎵應用於LED驅動電源上，借助氮化鎵高頻、高轉換效率、高擊穿電壓等特性，可以有效縮小產品體積並減少發熱情況，是高端燈具的理想選擇。由大聯大詮鼎基於Innoscience INN650D01場效應晶體管推出的高效超薄型200W LED驅動電源方案能夠滿足LED小型化設計的同時，提供高效的電源轉換能力。

本方案採用超薄設計，其內置Innoscience的高頻高效功率管INN650D01+INN650D02，採用PFC+LLC+SR架構，具有可達35W/in³的高功率密度，峰值效率達96%。借助此方案可大大提升LED的照明效率，減小產品體積，非常適用於對空間限制有嚴苛要求的應用。

英諾賽科（Innoscience）是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵外延及器件研發與製造的高新技術企業，採用IDM（Integrated Device Manufacture）全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產線。公司核心技術團隊由眾多資深的國際一流半導體專家組成，公司的目標是以更低的價格，向客戶提供品質一流、可靠性優異的GaN器件，並且實現GaN技術在市場的廣泛應用。在本方案中採用的INN650D01是公司旗下的增強型氮化鎵場效應晶體管，具有高頻高功率的特性。

在以氮化鎵為首的第三代半導體材料應用越來越廣泛的今天，大聯大詮鼎攜手氮化鎵器件製造專家Innoscience聯手推出的200W LED驅動電源方案將先進的氮化鎵技術應用其中，能夠在提高電源效率的同時，顯著縮小LED燈具的體積，降低散熱需求，滿足市場對於大功率、輕薄型LED燈具設計需求。

核心技術優勢：
INN650D01
 Vds最大650V；
 Rds最大130mΩ；
 Qg典型值0.9nC；
 Ids最大34A；
 Qoss典型值26nC；
 Qrr典型值0nC。

方案規格：
 輸入電壓：Vac180-264V；
 輸入電壓頻率：50Hz；
 輸出電壓：48V（恒流輸出（4.2A））；
 輸出最大功率：200W；
 輸出電壓紋波：＜500mV；
 最高效率：96%；
 板長寬厚196*35*13mm。

- 新聞稿有效日期，至2022/10/14為止

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