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產業動態 AMD運用超紫外線(EUV)微影技術
廿一世紀公關 本新聞稿發佈於2008/02/27,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

AMD、IBM與合作夥伴成功完成全面性的超紫外線晶片測試 證明超紫外線微影技術可整合至晶圓廠標準製程

 
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AMD運用超紫外線(EUV)微影技術
成功完成可運行之晶片測試

AMD、IBM與合作夥伴成功完成全面性的超紫外線晶片測試
證明超紫外線微影技術可整合至晶圓廠標準製程

台北—2008年2月27日—AMD(NYSE:AMD)與研發夥伴IBM共同合作,宣布運用超紫外線(Extreme Ultra-Violet,EUV)微影技術,針對整個晶片中最關鍵的第一層金屬連結進行測試,並成功生產出作業測試晶片。早先運用超紫外線技術研發於作業晶片元件的計畫範圍有限,僅涵蓋整體晶片設計中的一小部分。任職於AMD的Bruno La Fontaine博士將於周二舉辦一場業界重要的微影技術會議中,發表AMD與IBM以及其共同合作夥伴UAlbany NanoCollege的 Albany NanoTech Complex的合作成果。這份報告將呈現AMD如何將「全面性」的超紫外線微影技術,成功整合至大小為22公厘X33公厘之45奈米節點測試晶片製程。

Bruno La Fontaine博士表示,這份報告足以證明超紫外線微影技術在未來數年,在半導體製程上的應用具十足的潛力,業界廠商因晶片體積縮小而受惠。雖然在業界可運用超紫外線微影技術量產之前,仍有許多挑戰需要克服,但是AMD已經證明該技術可以成功地與半導體晶圓製程結合,完整產出晶片上的第一層金屬互連層。

位在紐約州阿爾巴尼的IBM結構研究經理David Medeiros表示,協同性的研發對推動半導體技術進步是不可或缺的,IBM在阿爾巴尼的合作,可以針對超紫外線基礎架構各方面進行整合性的評估,這將也是該技術進入量產製程前的真正歷練。微影技術如同微處理器一樣,如何將含有數百萬個電晶體集成晶片的高度複雜設計,移轉到晶圓片上的技術。晶圓片上的多重層級,是建立一個晶片的必要條件。隨著晶片工程師持續在晶片上加入嶄新功能,同時增強晶片的效能表現,讓體積愈來愈小的電晶體可在特定的區域中放置更多的電晶體。要如何製造小型電晶體與連接電晶體的金屬線,與用來投射晶片設計在晶圓片上的光波長度有直接關係。超紫外線光刻顯影技術採用13.5奈米的波長,大幅縮短現今的193奈米微影技術,持續推動傳統晶片功能與體積間的可調整性。

位於德國德勒斯登的AMD36號廠,首先採用現今最先進的193 奈米浸潤式微影量產技術,進行晶片測試,再將測試晶片運送至位於紐約州阿爾巴尼的IBM奈米科學與工程學院(College of Nanoscale and Engineering,CNSE)之研發中心,AMD、IBM與其他合作夥伴運用由ASML、IBM、與CNSE合作建置的ASML 超紫外線微影掃描器,於德國製造的電晶體間進行第一層金屬相連物的圖樣模型。在完成圖樣成型、蝕刻與金屬物沉澱等製程後,AMD對超紫外線微影設備架構進行電子測試,發現電晶體的特徵與僅使用193 奈米浸潤式微影量產技術進行的晶片測試結果相符。這些晶圓片將再透過標準的晶圓製程,增加額外的金屬互連層,進而使大型的記憶陣列亦可進行測試排程。

驗證超紫外線顯影技術量產可行性的下一步驟,是將此技術從金屬互聯物層的應用,擴展到所有層級,以證明超紫外線微影技術可製造一個完整的作業微處理器。國際半導體技術路線圖將可望於2016年達到22奈米半間距節點的標準,因此超紫外線微影技術必須在2016年前達到可量產的標準。

關於AMD
AMD(美商超微半導體,NYSE:AMD)為全球領先的處理器供應商,專為電腦、繪圖處理及消費性電子產業,提供創新的處理器產品。AMD秉持「以客戶需求為導向」的技術創新,致力於為全球消費者和企業用戶提供卓越的解決方案,推動開放式的創新和產業發展,讓客戶擁有更多選擇。如需瞭解更多訊息,請瀏覽http://www.amd.com。

AMD、AMD 箭頭標識,AMD Opteron及其組合,均為Advanced Micro Devices公司的商標。其他名稱僅供新聞訊息之傳遞,可能為其所有者之商標。

新聞聯絡人:
美商超微半導體
高惠如 Robyn Kao
公共關係經理
Tel: 2518-8760
Email: robyn.kao@amd.com

廿一世紀公關
王朗豪 Kalvin Wang
Tel: 2577-2100 EXT.811
Email: kalvin.wang@erapr.com

- 新聞稿有效日期,至2008/03/27為止


聯絡人 :王朗豪
聯絡電話:2577-2100 EXT.811
電子郵件:kalvin.wang@erapr.com

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