核心摘要
台北訊 - 2025年10月 31日--隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用激增，安森美推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和穩健性樹立新標竿。 這些突破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半導體能夠使電流垂直穿過化合物半導體，支援更高的工作電壓和更快的開關頻率，助力AI 數據中心、電動汽車（EV）、可再生能源以及航空航太等領域實現更節能、更輕量緊湊的系統。

要點
• 專有的GaN-on-GaN技術實現更高壓垂直導電，支援更快的開關速度和更緊湊的設計
• 這一突破性方案降低能量損耗和熱量，損耗減少近50%
• 由安森美在紐約雪城的研發團隊開發，涵括基礎工藝、元件架構、製造及系統創新的130多項專利。
• 安森美向早期客戶提供700V和1,200V元件樣品

安森美的垂直GaN技術是一項突破性的功率半導體技術，為AI和電氣化時代樹立了在能效、功率密度和穩健性方面的新標竿。 該技術在安森美紐約雪城的工廠研發和製造，並已獲得涵蓋垂直GaN技術的基礎工藝、元件設計、製造以及系統創新的130多項全球專利。

「垂直GaN是顛覆產業格局的技術突破，鞏固了安森美在能效與創新領域的領先地位。 隨著電氣化和人工智慧重塑產業格局，能效已成為衡量進步的新基準。 我們的電源產品群組中新增垂直GaN技術，賦能客戶突破性能邊界，是打造更具競爭力產品的理想選擇。 安森美這一突破，正開創以能效與功率密度為制勝關鍵的未來，」安森美企業戰略高級副總裁 Dinesh Ramanathan表示。

世界正步入一個全新的時代，能源正成為技術進步的關鍵制約因素。 從電動汽車和可再生能源，到如今甚至超過一些城市耗電量的AI數據中心，電力需求的增加速度遠超我們高效發電與輸電的能力。 如今，每一瓦的節能都至關重要。
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安森美的垂直氮化鎵技術採用單晶元設計，可應對1,200伏及以上高壓，高頻開關大電流，能效卓越。 基於該技術構建的高端電源系統能降低近50%的能量損耗，同時因其更高的工作頻率，因而電容器和電感等被動元件尺寸可縮減約一半。 而且，與目前市售的橫向GaN元件相比，垂直氮化鎵元件的體積縮小約三分之二。 因此，安森美的垂直氮化鎵尤為適合對功率密度、熱性能和可靠性有嚴苛要求的關鍵大功率應用領域，包括：

• AI數據中心：減少零組件數量，提高AI計算系統800V DC-DC轉換器的功率密度，顯著優化單機架成本
• 電動汽車：打造更小、更輕、更高效的逆變器，提升電動汽車續航里程
• 充電基礎設施：實現更快、更小、更穩健的充電設備
• 可再生能源：提升太陽能和風能逆變器的電壓處理能力，降低能量損耗
• 儲能系統（ESS）：為電池變流器和微電網提供快速、高效、高密度的雙向供電
• 工業自動化：開發體積更小、散熱性能更好、能效更高的電機驅動和機器人系統
• 航空航太：打造性能更強、穩健性更高、設計更緊湊的方案

目前市售的大多數GaN元件都採用非GaN基板，主要是矽或藍寶石基板。 對於超高壓元件，安森美的垂直氮化鎵（vGaN）採用GaN-on-GaN技術，使電流能夠垂直流過晶片，而不是沿表面橫向流動。 這設計可達成更高的功率密度、更優異的熱穩定性和在極端條件下更穩健的性能。 憑藉這些優勢，vGaN全面超越了矽基氮化鎵（GaN-on-silicon）和藍寶石基氮化鎵（GaN-on-sapphire）元件，提供更高的耐壓能力、開關頻率、可靠性以及穩健性。 這有助於開發更小、更輕便、更高效的電源系統，同時降低散熱需求和整體系統成本。 主要優勢包括：

• 更高的功率密度：垂直GaN能以更小的尺寸承受更高的電壓和更大的電流
• 更高的能效：在功率轉換過程中減少能量損耗，降低發熱量和散熱成本
• 系統更緊湊：更高的開關頻率能縮減電容器和電感器等無源元件的尺寸

上市時程：
現階段安森美已開始向早期客戶提供樣品。

更多資訊：

• 垂直氮化鎵概覽
• 垂直氮化鎵說明書
• 安森美垂直氮化鎵（vGaN）技術頁

關於安森美（onsemi）
安森美（onsemi， 納斯達克股票代號：ON）致力推動顛覆性創新，打造更美好的未來。 公司關注汽車和工業終端市場的大趨勢，加速推動汽車功能電子化和汽車安全、可持續電網、工業自動化以及5G和雲基礎設施等細分領域的變革創新。 安森美提供高度差異化的創新產品群組以及智慧電源和智慧感知技術，以解決全球最複雜的挑戰，引領創造更安全、更清潔、更智慧的世界。 安森美被納入納斯達克100指數和標普500指數。 瞭解更多關於安森美的資訊，請訪問：http://www.onsemi.cn。

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- 新聞稿有效日期，至2025/11/30為止

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