Qcept Technologies 與CEA-Leti 合作 共同發展非光學可視性缺陷檢測技術與先進半導體製程 Qcept 與CEA-Leti 攜手合作將領先業界的優勢擴展至非光學可視性缺陷檢測, 解決高介電、低介電常數材料,完全矽化金屬閘極,及其他影響先進製程良率的重要問題 【台灣,台北,2008年6月16日】半導體製造業新型晶圓檢測系統開發商Qcept(Qcept Technologies Inc.),日前宣布和全球先進微米與奈米科技的頂尖研究機構CEA-Leti達成一項合作協議。Qcept將與CEA-Leti合作,讓Qcept的領導優勢延伸至現有各種非光學可視性缺陷(NVD)檢測應用,以及研究各種潛在新技術,藉以分析各種先進半導體材料與製程的特性。這些材料與製程包括高介電常數與低介電常數材料、原子層沉積(ALD)、完全矽化(FUSI)金屬閘極,以及先進的清洗技術。 在協議的規範下,CEA-Leti提供在先進半導體製程開發方面豐富的專業知識,Qcept則已將其ChemetriQ® 非光學可視性缺陷晶圓檢測技術,裝設於CEA-Leti位於法國格勒諾伯的研發中心,強化其現有製程特性分析的能力。 CEA-Leti首席研發工程師Adrien Danel表示:「各種先進材料與製程,包括高介電常數材料與金屬閘極,都有潛能大幅提升未來世代半導體元件的效能,但其衍生的複雜性可能造成許多過去未遭遇的特殊良率問題,需要創新的檢測方法才能解決。與Qcept之間的合作,能幫我們更加瞭解這些材料與製程的各種良率問題,藉以加快開發流程,並整合至整個製程。」
Qcept公司行銷副總裁Ralph Spicer表示:「CEA-Leti在許多半導體研發的關鍵領域中扮演先鋒角色。與CEA-Leti合作,讓我們有特別的機會,及早接觸到這些先進技術,讓我們針對業界某些尖端應用來證明我們的ChemetriQ解決方案。」 Qcept的ChemetriQ 平台提供整片晶圓的快速線上NVDs偵測,包括有機與無機殘餘物、金屬污染、製程導致的電荷、水漬,以及其他無法以光學檢測系統檢測的非光學可視性缺陷。ChemetriQ平台透過一種創新且非破壞性的技術,檢測半導體晶圓表面功函數的變化量 (work function variation)。ChemetriQ平台的敏銳度高達5E9 atoms/cm2 (每平方公分上5E9 atoms或二十萬個原子分之一),超越國際半導體技術準則(ITRS)針對22奈米技術所規範的金屬感染物標準。 關於CEA-Leti CEA(法國原子能委員會)為公家技術研究機構,其任務涵蓋能源、資訊、醫療科技、國防等領域,奠基於最高水準的基礎科學研究。旗下15000位研究人員與合作人員為其核心優勢,讓CEA得到國際肯定,研究成果被法國與歐洲各地的公家機關、機構以及產業界廣泛採納。 位於法國格勒諾伯的CEA-Leti(法國原子能委員會與資訊科技實驗室)是歐洲首屈一指的研究機構,研究範圍涵蓋微電子、微型科技以及奈米技術。該機構雇用將近1000位人員,每年獲得將近200項專利。該機構共衍生出28家新創與即將創立的公司,是產業界最重要的合作夥伴之一。帶動MINATEC®創新研發的CEA-Leti,為其主要合作夥伴之一,其他成員還有INP Grenoble (法國格勒諾博國立綜合科技大學) 和當地多個機構。欲得知詳細資訊請瀏覽www.cea.fr. 關於 Qcept Technologies Inc. Qcept專為先進半導體製造提供非光學可視性缺陷(NVD)晶圓檢測解決方案,其ChemetriQ®平台被廣泛應用於線上、非接觸性、全面晶圓檢測等關鍵製程上,例如次單層(sub-mono-layer)有機與金屬殘留物、製程導致的電荷,以及其他無法被傳統光學測試儀器探測出且不應有的表面不均勻等NVDs。如欲了解更多相關資訊,請瀏覽官方網站:www.qceptech.com。 ChemetriQ是Qcept Technologies Inc的註冊商標。 - 新聞稿有效日期,至2008/07/16為止
聯絡人 :黃伊瑩 / 王心宜 聯絡電話:2577-2100 分機802/ 825 電子郵件:pennyiy.huang@erapr.com / cindyhi.wang@erapr.com
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